Изменение - полуширина
Cтраница 2
В свете сделанного нами отнесения наблюдаемых компонент полосы валентных О - н - и О-D - колебаний можно истолковать изменение полуширины полосы от одной группы катионов к другой. Различие в полуширине полосы ОН-яолебаний жидкой воды для групп А - Г, очевидно, вновь отражает влияние специфики природы катионов отдельных разрезов на характер их взаимодействия с водой. Действительно, группа 1 соответствует 1 - й группе, группа Б - - целочно-земельиым металлам, В - подгруппе цинка, Г - третьей группе П.С. То, что ионыМд2 и РЬ2 оказались в одной группировке с элементами подгруппы цинка, а нов Вег в 3 - й группе, говорит о яркой. Строго говоря, ион Mgz не следовало бы присоединять к подгруппе цинка, так как последняя ведет себя по-особенному. При концентрациях ниже 4т спектроскопические характеристики растворов соответствующих ей перхлоратов иные, чем для элементов третьей группы, выше 4 / 77 - анелогичные ( см. напр. [16]
Изменение температуры приводит к смещению максимума полосы пропускания светофильтров, которое может достигать 0 00017 мкм на 1 С [44], и к изменению полуширины полосы пропускания, величина которого на порядок меньше. При точном анализе, чтобы избежать влияния температуры на параметры светофильтров, их термостатируют. [17]
 |
Градиент плотности дислокаций вблизи поверхности монокристалла Мо, деформированного при Т 20 С до е 0 5 %. Ув. 700. [18] |
Оригинальность этого неразрушающего метода контроля заключается в том, что первичный рентгеновский пучок падает на исследуемую поверхность образца под очень малым углом, что позволяет по изменению полуширины рентгеновской интерференционной линии исследовать именно тонкие приповерхностные слои кристалла в диапазоне от долей микрона до нескольких микрон. Причем, изменяя угол падения первичного рентгеновского пучка на исследуемую поверхность, можно варьировать глубину слоя, с которого снимается соответствующая структурная информация. [19]
Из рис. 7 видно, что кристаллизация в значительной степени аморфного образца поликарбоната на основе бисфенола А, происходящая в результате выдержки при 190 С в атмосфере сухого азота, приводит к изменению полуширины максимума интенсивности. [20]
 |
Зависимость полуширины рентгеновской линии ( / и термоэдс ( 2 от температуры отпуска сплава Fe-Со - V. [21] |
Микродеформация решетки и величина областей когерентного рассеяния не вычислялась, так как сплав имеет склонность к образованию мартенситной структуры, что, как известно [4, 5], значительно затрудняет разделение эффектов физического уширения и снижает надежность полученных результатов. На рис, 2 показано изменение полуширины ли кии ( 200) в зависимости от температуры отпуска. [22]
Другим возможным выходом является предположение об участии в реакциях триплетного состояния, время жизни которого может достигать - - - 10 - 6 - 10 - 3 сек. В этом случае, однако, весьма веским возражением служит наблюдавшееся в работе по импульсному радиолизу кристаллического льда значительное - более чем вдвое - изменение полуширины полосы поглощения при переходе от жидкости к твердой фазе. Последнее можно объяснить только влиянием параметров состояния на энергетические уровни оптически активного образования, что не согласуется с концепцией изолированной молекулы. [23]
Ширина резонансных линий в лампах с полыми катодами определяется допплеровским эффектом и самопоглощением. Изменения температуры ( для неохлаждаемых полых катодов в пределах 400 - 600 К) практически не влияют на общую ширину линий. Поэтому изменение полуширины линии с изменением режима разряда определяется только различным уровнем самопоглощения. В тех случаях, когда линия испытывает сверхтонкое расщепление, о величине самопоглощения более удобно судить по наблюдаемому отношению ин-тенсивностей компонент сверхтонкой структуры. При увеличении самопоглощения отношение компонент должно приближаться к единице. [24]
При количественных применениях необходимо учитывать влияние эффекта расширения, связанного с давлением. Если давление поглощающего газообразного образца возрастает, ширина линии пропорционально увеличивается в большом интервале давлений. Интегральная интенсивность поглощения также растет прямо пропорционально давлению, и, следовательно, высота пика остается в этом интервале независимой от давления. При малом парциальном давлении добавление к поглощающему образцу инородного газа ведет к таким же последствиям - изменению полуширины полосы поглощения. [25]
При термообработке в области температур 300 - 400 С полуширина этих полос не изменялась. Наклон кривых максимален для стекол, получивших меньшую дозу облучения, состояние насыщения для них достигается наиболее быстро. Для стекол, получивших большую дозу облучения, наблюдается меньший наклон и наиболее медленное достижение состояния насыщения. Изменений полуширины начиная с длительности термообработки в 1000 мин практически не происходит. [26]
Страницы: 1 2