Изменение - потенциал - коллектор
Cтраница 1
Изменение потенциала коллектора мк в соответствии с кривой 2 ( рис. 4.10) происходит только в том случае, если емкость конденсатора Сэ лежит в определенных пределах. Поэтому коэффициент усиления оказывается одинаковым на всех участках импульса и хотя длительность фронта уменьшается, но меньше, чем усиление - выигрыш в добротности отсутствует. [1]
О - тем сильнее сказывается влияние изменения потенциала коллектора. [2]
Очевидно, что отклонение этих параметров вызывает изменение потенциала коллектора транзистора, которое для мостовой цепи сказывается уменьшением амплитуды входных импульсов. Изменение этого напряжения оказывает на нестабильность задержки такое же действие, как изменение остаточного напряжения. [3]
 |
Зависимость сигнала от по. [4] |
Из рис. 7.3 и 7.4 видно, что изменение потенциала коллектора не оказывает заметного влияния на уровень сигнала шума. Но увеличение потенциала мишени приводит к резкому уменьшению сигналов шума и возрастанию сигнала полезной информации. Таким образом, условия для получения максимального контраста записи потенциального рельефа должны обеспечиваться, когда режим работы прибора соответствует напряжениям на коллекторе, подложке и замедляющем электроде считывания соответственно 820, 840 и 900 В. Полученные результаты несколько отличаются от рекомендуемых разработчиками потенциалоскопа. В, которая также отличается от рекомендуемых. [5]
 |
Схема усилителя-ограничителя с нелинейной обратной связью.| Временные диаграммы для усилителя-ограничителя с нелинейной обратной. [6] |
При этом ток коллектора, нарастая по экспоненте с постоянной времени тэк, вызывает изменение потенциала коллектора. [7]
Если применить непосредственную связь между двумя каскадами с транзисторами, включенными по схеме ОЭ, то изменения потенциала коллектора первого транзистора усилятся вторым каскадом. [8]
Когда потенциал коллектора приближается к потенциалу земли, транзистор переходит в режим насыщения ( типичные значения напряжения насыщения лежат в диапазоне 0 05 - 0 2 В, см. приложение Ж) и изменение потенциала коллектора прекращается. В нашем случае лампа загорается, когда падение напряжения на ней составляет 10 В. [9]
 |
Способы включения напряжений на базу биполярного транзистора. [10] |
Еще лучшую стабилизацию положения СРТ может дать схема рис. 6.4, г, в которой верхней конец целителя R - R2 присоединен не к шине питания Ек, а к коллектору. Поэтому изменения потенциала коллектора вызываю: через делитель Ri - R2 такие изменения напряжения на базе, которые направлены на возврат этого потенциала к первоначальному значению. Но при этом снижается усиление каскада ( за счет шунтирования резистора RK делителем Ri - R2) и уменьшается его входное сопротивление. [11]
 |
Триггер на транзисторах с автоматическим смещением. [12] |
Скорость изменения потенциала коллектора в спусковых схемах определяется тремя основными факторами. [13]
Увеличение потенциала базы, в свою очередь, вызывает уменьшение коллекторного тока и тем самым снижение потенциала коллектора. Изменение потенциала коллектора с запаздыванием т через цепь обратной связи изменяет потенциал базы, но на этот раз снижает его. В результате коллекторный ток увеличивается, вызывая с запаздыванием т повышение потенциала базы. Этим завершается один период колебательного процесса и начинается новый. [14]
Транзистор характеризуется барьерной и диффузионной емкостями эмиттерного и коллекторного переходов. Барьерная емкость обусловлена наличием объемного заряда в p - n - переходах. Диффузионная емкость эмиттерного перехода обусловлена изменением заряда в базе при изменении потенциала эмиттера, а коллекторного перехода - при изменении потенциала коллектора. [15]
Страницы: 1 2