Cтраница 4
Под влиянием излучений высокой энергии - ионизирующих излучений ( рентгеновские лучи, - излучения, электроны, протоны, а-частицы, нейтроны) протекает радиационная деструкция полимеров. В отличие от термической деструкции под влиянием радиационного воздействия не происходит деполимеризации и каждое изменение, происходящее в макромолекуле, требует новой активации путем ионизации. Поэтому даже после большого числа разрывов главной цепи мономер, как правило, не образуется. Деструкция макромолекул сопровождается перегруппировкой только тех атомов, которые находятся вблизи места разрыва. [46]
О влиянии излучения на синхротронные колебании электронов при жесткой фокусировке. [47]
При этом влияние излучения проявлялось в увеличении температур жидкости, если нагретая поверхность была обращена вверх. [48]
Поправка на влияние излучения находилась проведением нескольких измерений в водороде, в котором относительная доля излучения мала по сравнению с этой долей в воздухе. Также учитывалась теплопередача стеклянными кусочками, разделяющими верхний и промежуточный диски. [49]
![]() |
Поглощение у-излучения при комп-тоновском рассеянии. [50] |
Чтобы определить влияние излучения на материал следует знать, с помощью какого процесса поглощается этим материалом излучение. Существуют три способа поглощения у-излучения: 1) фотоэлектрический - у-фотон полностью поглощается атомом при одновременной эмиссии из него электрона; 2) комптоиовское рассеяние - у-фотон вступает во взаимодействие с атомом, выбивает электрон и отклоняется со своего пути в виде у-фотона с меньшей энергией; 3) парное рождение частиц - у-фотон уничтожается вблизи атома с образованием пары легких частиц электрона и позитрона. [51]
![]() |
Поглощение у-излучения при комп-тоновском рассеянии. [52] |
Чтобы определить влияние излучения на материал следует знать, с помощью какого процесса поглощается этим материалом излучение. Существуют три способа поглощения у-излучения: 1) фотоэлектрический - у-фотон полностью поглощается атомом при одновременной эмиссии из него электрона; 2) комптоновское рассеяние - у-фотон вступает во взаимодействие с атомом, выбивает электрон и отклоняется со своего пути в виде у-фотона с меньшей энергией; 3) парное рождение частиц - у-фотон уничтожается вблизи атома с образованием пары легких частиц электрона и позитрона. [53]
Что касается влияния излучения на неравновесность плазмы, то можно показать, что, если частота столкповительных процессов много больше частоты радиационных переходов, отклонения от равновесия незначительны. Так, оценки по формулам [19], выполненные для воздушной плазмы атмосферного давления, показали, что заселенность возбужденных уровней может отличаться от больцмановской лишь при температурах ниже 10 000 К. В оптически тонкой плазме выход излучения может привести к отклонениям в распределении свободных электронов по энергиям. Как показано в [20-22], максвелловская функция распределения электронов по энергиям нарушается, когда частота куло-новских взаимодействий меньше или сравнима с частотой соударений электрон-атом. [54]
Чтобы исключить влияние радиоэлектрических излучений, манипуляции со взрывчатыми веществами производят на палубе, внутри кожуха Фарадея. [55]
Это уменьшает влияние возможного излучения окружающих предметов на термометр. В современных психрометрах оба термометра заключены и заградительные кожухи, поверхности которых полированы. Воздух через кожухи продувается специальным вентилятором, имеющим механическим или электрический привод. [56]
Приблизительный учет влияния излучения не серого газа может быть осуществлен в рамках этой модели посредством модели прозрачный и серый газ реальных дымовых газов. [57]