Cтраница 5
Влияние емкости сигнальной связи аналогично влиянию индуктивности сигнальной связи. Если в выходном каскаде элементов используют эмиттерный повторитель или инвертор в режиме включения, то вых имеет величину порядка десятков ом. Когда транзистор выключается, выходное сопротивление становится равным коллекторному и время заряда емкости сигнальной связи определяется током, протекающим через это сопротивление. [61]
Балансировка моста переменного тока осложняется влиянием индуктивностей и емкостей. Влияние индуктивности можно свести к минимуму, правильно выбрав промежутки в резисторных катушках и применив в них безындуктивную намотку. [62]
На высших частотах можно пренебречь влиянием индуктивности Ьг, однако необходимо учесть индуктивности рассеяния Ls Lsl L az и зависимость от частоты параметров транзистора. [63]
Сравнение этих отсчетов дает возможность исключить влияние индуктивности. Очень интересный метод исключения влияния реактивных параметров разработан В. Мы его рассмотрим на примере схемы контроля состава проволоки. [64]
Заземлитель, у которого заметно проявляется влияние индуктивности, называется протяженным заземлителем, и его импульсный коэффициент может быть как больше, так и меньше единицы в зависимости от преобладающего влияния индуктивности или искровых процессов. [65]