Cтраница 4
Высокую токсичность первых порций яда ( отрезки кривой 2 - 3, 3 - 4 на рис. 2.23) можно объяснить либо тем, что доля активной поверхности составляет лишь незначительную часть от всеа поверхности, способной адсорбировать реагенты, либо изменением работы выхода электрона из катализатора. [46]
Исследования ван Оостромом [149] влияния хемосорбирован-ного азота на эмигрирующую поверхность вольфрама выявили значительно более сложные эффекты. Изменение работы выхода электрона для данной кристаллической плоскости является функцией покрытия, и оно может даже изменить знак. В табл. 3 приведены величины изменения работы выхода для падающего потока величиной 1017 молекул / см2 при 25 К. Как показал Эрлих [156], ван Оостром не обнаружил адсорбции азота на плоскости ( НО) вольфрама при комнатной температуре. [47]
Наши результаты измерения отчасти согласуются с выводами авторов [12] относительно структуры водорода и его заряда при хемосорбции водорода на катализаторах-электродах. Если изменение работы выхода электрона при адсорбции газа характеризует заряд поверхности, то изменение электропроводности дает возможность судить о том, произошел ли полный электронный обмен между катализатором и хемосор-бированными частицами газа. [48]
Этот параметр входит в формулы, предложенные для расчета поверхностной энергии твердых тел. На изменении работы выхода электрона основано одно из направлений изучения сложных по своей природе физико-химических процессов, протекающих в месте контакта пар трения. Для экспериментальной оценки работы выхода электрона используют метод контактной разности потенциалов ( КРП), возникающей при сближении двух разнородных металлов ( эталонного и исследуемого) до некоторого расстояния, при котором возможен эффективный обмен электронами под действием разности работы выхода электронов используемых металлов. [49]
Фрейдлиха, логарифмические изотермы и др. Вид изотерм зависит от изменения во времени характера связи молекулы, адсорбированной на данном центре адсорбции, а также от кулоновского взаимодействия между адсорбированными молекулами. Хемосорбция на поверхности приводит к изменению работы выхода электрона из кристалла. Причиной этого изменения является появление поверхностного заряда, возникающего из-за наличия сильных адсорбционных связей. Зависимость между электропроводностью полупроводника и его каталитической активностью понятна, поскольку обе эти величины зависят от положения уровня Ферми в кристалле. Эти величины в ходе реакции могут изменяться в ту или иную сторону, в зависимости от характера реакции, протекающей на поверхности. Введение примесей в кристалл полупроводника меняет равным образом как его каталитическую активность, так и электропроводность, поскольку при этом изменяется концентрация электронов и дырок, а следовательно, и положение уровня Ферми. На основании этих представлений можно объяснить электронный механизм действия промоторов и каталитических ядов, а также явления фотосорбции и фотокатализа, поскольку облучение светом с определенной длиной волны способно изменить концентрацию электронного и дырочного газа на поверхности. Можно также понять влияние степени дисперсности полупроводникового катализатора, принимая во внимание, что при достаточно большой степени дисперсности полупроводникового материала положение уровня Ферми зависит от размеров частиц. [50]
Фрейдлиха, логарифмические изотермы и др. Вид изотерм зависит от изменения во времени характера связи молекулы, адсорбированной на данном центре адсорбции, а также от кулоновского взаимодействия между адсорбированными молекулами. Хемосорбция на поверхности приводит к изменению работы выхода электрона из кристалла. Причиной этого изменения является появление поверхностного заряда, возникающего из-за наличия сильных адсорбционных связей. Зависимость между электропроводностью полупроводника и его каталитической активностью понятна, поскольку обе эти величины зависят от положения уровня Ферми в кристалле. Эти величины в ходе реакции могут изменяться в ту или иную сторону, в зависимости от характера реакции, протекающей на поверхности. Введение примесей в кристалл полупроводника меняет равным образом как его каталитическую активность, так и электропроводность, поскольку при этом изменяется концентрация электронов и дырок, а следовательно, и положение уровня Ферми. На основании-этих представлений можно объяснить электронный механизм действия промоторов и каталитических ядов, а также явления фотосорбции и фотокатализа, поскольку облучение светом с определенной длиной волны способно изменить концентрацию электронного и дырочного газа на поверхности. Можно также понять влияние степени дисперсности полупроводникового катализатора, принимая во внимание, что при достаточно большой степени дисперсности полупроводникового материала положение уровня Ферми зависит от размеров частиц. [51]
И тем не менее все эти выводы, несмотря на свою кажущуюся убедительность, ошибочны. Дело заключается в том, что изменение работы выхода электрона при переходе от одного металла к другому или изменение энергии сольватации при переходе от одного растворителя к другому компенсируется соответствующим изменением гальвани-потенциала. [52]
И тем не менее, все эти выводы, несмотря на свою кажущуюся убедительность, ошибочны. Дело заключается в том, что изменение работы выхода электрона при переходе от одного металла к другому или изменение энергии сольватации при переходе от одного растворителя к другому компенсируется соответствующим изменением галь-вани-потенциала. [53]
И тем не менее все эти выводы, несмотря на свою кажущуюся убедительность, ошибочны. Дело заключается в том, что изменение работы выхода электрона при переходе от одного металла к другому или изменение энергии сольватации при переходе от одного растворителя к другому компенсируется соответствующим изменением гальвани-потенциала. [54]