Влияние - коллекторное напряжение
Cтраница 1
Влияние коллекторного напряжения на время жизни практически отсутствует. [1]
 |
Трансформаторная схема амплитудной модуляции изменением напряжения смещения базы в полупроводниковом усилителе. [2] |
В недонапряженном режиме вследствие малой проницаемости D влияние коллекторного напряжения ик на ток в цепи коллектора и в контуре пренебрежительно мало, но в перенапряженном режиме оно существенно возрастает. В этом режиме при любом изменении напряжения ик у импульса коллекторного тока резко изменяются высота, ширина и глубина впадины, а следовательно, амплитуда первой гармоники тока / К1 и тока в контуре / к. [3]
 |
Схема измерения SCT импульсным методом в схеме с общим эмиттером. [4] |
В схеме с общим эмиттером сильнее проявляется влияние коллекторного напряжения на результат измерения. [5]
При krKB0 наблюдается незначительный наклон коллекторных характеристик, который объясняется влиянием коллекторного напряжения на коэффициент А. [6]
При [ / КБ0 наблюдается незначительный наклон коллекторных характеристик, который объясняется влиянием коллекторного напряжения на коэффициент А. [7]
 |
Статические характеристики транзистора при включении по схеме. [8] |
Кривые эмиттерного семейства ( рис. 4 - 11 6) образуют довольно плотный пучок, потому что влияние коллекторного напряжения на эмиттерное ( внутренняя обратная связь - следствие эффекта Эрли) очень мало. [9]
На рис. 3 - 26, г приведена эквивалентная схема бездрейфового транзистора для низких частот, в которой учтено также влияние переменного коллекторного напряжения на ток эмиттерного перехода из-за меняющейся с той же частотой толщины базы I ( CM. [10]
Кривые входных характеристик образуют плотный пучок, сливающийся в одну кривую, имеющую экспоненциальный характер изменения. Небольшое, но все же имеющееся влияние коллекторного напряжения можно объяснить тем, что с увеличением смещающего ( в сторону запирания) напряжения на коллекторе ширина коллекторного перехода увеличивается за счет уменьшения расстояния W между переходами. [11]
 |
Схема для снятия ВАХ транзистора, включенного по схеме с ОБ. [12] |
На рисунке 5.6 приведена схема для снятия характеристик транзистора, включенного по схеме с ОБ. Кривые входных характеристик образуют плотный пучок, сливающийся в одну кривую, имеющую экспоненциальный характер изменения. Это обусловлено очень малым влиянием коллекторного напряжения на входные характеристики. Небольшое, но все же имеющееся влияние коллекторного напряжения можно объяснить тем, что с увеличением смещающего ( в сторону запирания) напряжения на коллекторе ширина коллекторного перехода увеличивается за счет уменьшения расстояния между переходами. Вследствие этого концентрация неосновных носителей в области базы увеличивается, что вызывает больший ток диффузии от эмиттера к коллектору. [13]
 |
Статические характеристики идеализированного транзистора. [14] |
Кривая с параметром UK 0, естественно, является обычной диодной характеристикой. При значениях UK О кривые сдвигаются вправо и вниз в связи с нарастанием собираемого компонента эмиттерного тока. При значениях Ик; 0 кривые очень незначительно смещаются влево и вверх. Если UK фг, то влияние коллекторного напряжения практически отсутствует. [15]
Страницы: 1 2