Cтраница 2
Влияние ориентации подложки на ориентацию питаксиального слоя наилучшим образом можсг быть выявлено с помощью сферической моно-кристаллической подложки. [16]
Влияние ориентации кристаллов при изгибе сказывается главным образом на их различной склонности к поперечной деформации, которая связана с различной ориентацией действующих систем скольжения относительно приложенных сил. Следует отметить, что поперечные деформации дополнительно искажают решетку монокристалла при изгибе, а это может вызвать при последующем отжиге ускоренную рекристаллизацию. [17]
Влияние ориентации микронапряжсннй ( после холодной деформации) обнаружено только на предел упругости. [18]
Влияние ориентации подложки на структуру эпитаксиальных слоев AnBVI. Эпитаксиальные слои CdS и других полупроводников AIIBVI могут принять при осаждении на полупроводниковые элементы или соединения A111 Bv в зависимости от ориентации поверхности подложки и соответствующих условий опыта структуру сфалерита или вюрцита. [19]
Влияние ориентации термосифона в пространстве проявляется следующим образом. При наклонном положении термосифона в пространстве уменьшается гидростатический напор жидкости и замедляется поступление конденсата в испаритель. В этой связи появляется составляющая силы тяжести, вызывающая перемещение жидкости с верхней образующей трубы на нижнюю, что приводит к утоньшению пленки конденсата с верхней образующей испарителя и снижению гидростатического напора. С уменьшением гидростатического напора снижается предельный тепловой поток, а с другой стороны вследствие перетока жидкости на нижнюю образующую, уменьшается поверхность взаимодействия между паром и конденсатом, что улучшает условия поступления конденсата в испаритель и тем самым увеличивает предельный тепловой поток. [20]
![]() |
Изменение плотности дефектов упаковки в зависимости от ориентации подложки ( штрихами показана теоретическая кривая. [21] |
Влияние ориентации подложки на плотность дефектов упаковки зависит от многих факторов. В опытах с использованием химически полированных подложек плотность дефектов упаковки мала ( 10 - 100 см-2) и ориентационный эффект отсутствует. В другой серии опытов с механически полированными подложками наблюдалась сильная ориентационная зависимость плотности ( рис. 2.29), однако воспроизводимость этих результатов была недостаточно высокой чтобы рассматривать их количественно. [22]
Влияние ориентации подложки на структуру пленок отмечают также Ньюмен и Голдсмит [13], получавшие более совершенные пленки на грани ( 111) GaAs, тогда как в пленках на плоскости ( 111), упакованной атомами галлия, ими наблюдались двойники роста. [23]
Влияние ориентации поверхности нагрева на 7кР1 в значительной степени зависит от формы и размеров нагревательного элемента. Так, изменение ориентации цилиндрических поверхностей нагрева влияет на qKP, в меньшей степени, чем для плоских поверхностей. [25]
Влияние ориентации свежесформованного волокна, а также процесса терморелаксации на свойства волокна из ПВФ может быть объяснено зависимостью прочности и удлинения волокна от его структуры, изменяющейся по технологическим переходам. [26]
Влияние ориентации поверхности кристалла на травимость дислокаций еще не совсем понятно. Это влияние может объясняться следующими причинами. [27]
Влияние ориентации молекулярного пучка на совершенство структуры автоэпитаксиальных молибденовых слоев. [28]
Рассмотрено влияние ориентации на свойства пленки и листов из полистирола. Процесс производства подробно не рассматривается, но приведена литература по этим вопросам. [29]
![]() |
Зависимость механических свойств сополимеров ПЭТФ / ОБК от содержания. [30] |