Влияние - освещение
Cтраница 1
Влияние освещения на адсорбционную способность некоторых окислов. [1]
Влияние освещения обусловлено действием света и тени на эффект от внешнего вида изделия; дизайнер или художник имеет возможность регулировать этот эффект лишь при наличии индивидуального освещения у изделия. [2]
Влияние освещения на каталитическую активность полупроводника сводится, согласно выводам Ф. Ф. Волькенштейна и Ш. М. Когана [77], к изменению концентрации свободных валентностей поверхности, ответственных за хемосорбцию и ведущих каталитический процесс. Таким же точно можно представить себе и влияние рекуперированной энергии. Однако ограничиваются ли результаты этого влияния только изменением концентрации свободных валентностей. Нельзя ли предположить, что здесь имеет место еще новый эффект, связанный с изменением активности самих свободных валентностей, подобный эффекту сопряжения холостого электрона в свободных радикалах. Упомянутая работа Э. Л. Нагаева [76], раскрывая роль экситонов в механизме хемосорбции атома на ионных кристаллах, положительно отвечает на этот вопрос. [3]
Влияние освещения на каталитическую активность полупроводника сводится, согласно выводам Волькенштейна и Когана [220], к изменению концентрации свободных валентностей поверхности, ответственных за хемосорбцию и ведущих каталитический процесс. Таким же точно можно представить себе и влияние рекуперированной энергии. Однако ограничиваются ли результаты этого влияния только изменением концентрации свободных валентностей. Нельзя ли предположить, что здесь имеется еще новый эффект, связанный с изменением активности самих свободных валентностей, подобный эффекту сопряжения холостого электрона в свободных радикалах. Упомянутая работа Нагаева [219], раскрывая роль экситонов в механике хемосорбции атома на ионных кристаллах, положительно отвечает на этот вопрос. [4]
Влияние освещения особенно заметно по изогнутости кривых / и II. [5]
Влияние освещения было обнаружено на примере роста скорости растекания спиртов и эфиров по поверхности германия, кремния, титана и сурьмы. [6]
Влияние освещения на каталитическую активность полупроводника сводится, согласно выводам Волькенштейна и Когана [220], к изменению концентрации свободных валентностей поверхности, ответственных за хемосорбцию и ведущих каталитический процесс. Таким же точно можно представить себе и влияние рекуперированной энергии. Однако ограничиваются ли результаты этого влияния только изменением концентрации свободных валентностей. Нельзя ли предположить, что здесь имеется еще новый эффект, связанный с изменением активности самих свободных валентностей, подобный эффекту сопряжения холостого электрона в свободных радикалах. Упомянутая работа Нагаева [219], раскрывая роль экситонов в механике хемосорбции атома на ионных кристаллах, положительно отвечает на этот вопрос. [7]
Влияние освещения на полупроводниковый катализ, предсказываемое электронной теорией, также практически отсутствует или представляет единичные случаи, как например восстановление метиленблау в системе ZnO свет в опытах проф. ZnS, эти процессы не идут. [8]
Изучение влияния освещения на активность катализаторов в настоящее время представляет особый интерес в связи с развитием электронных представлений в катализе. Экспериментальных данных в этой области очень мало; но и те работы, которые проводились в этом направлении, привели к отрицательным результатам. Исключение представляют работы Шваба [1] и Ритча и Галверта [2], обнаруживших ускоряющее действие света на полупроводниковый катализ. [9]
Изучение влияния освещения на активность катализаторов в настоя-шее время представляет особый интерес в связи с развитием электронных представлений в катализе. Экспериментальных данных в этой области очень мало; но и те работы, которые проводились в этом направлении, привели к отрицательным результатам. Исключение представляют работы Шваба [1] и Ритча и Галверта [2], обнаруживших ускоряющее действие света на полупроводниковый катализ. [10]
Под влиянием освещения возбуждающим светом наблюдается быстрое дальнейшее возрастание флуоресценции до некоторого значения насыщения, которое при - 1.0 в в 2 раза превосходит исходное. Очевидно, при происходящем здесь изменении знаков поляризованных электродов на противоположные тушащие анионы устремляются теперь к катоду, вызывая мгновенный эффект тушения. [12]
Под влиянием освещения в единицу времени появляется J электронов с энергией е0 в единице объема. [13]
Под влиянием освещения А меняется. [14]
Под влиянием освещения в области базы происходит генерация неравновесных пар носителей заряда. При малом уровне инжекции и равномерном распределении примеси в базе можно считать, что неравновесные носители в базе перемещаются к эмиттерному и коллекторному переходам только за счет диффузии. Электрическое поле коллекторного перехода не препятствует уходу дырок из базы в коллектор, но задерживает электроны в базовой области. Парные заряды как бы разделяются на коллекторном переходе. В связи с тем, - - что база не имеет вывода, электроны остаются в базовой области, создавая отрицательный пространственный заряд. Этот отрицательный пространственный заряд воздействует на эмиттерный переход, смещая его в прямом направлении. Уменьшение высоты потенциального барьера вызывает инжекцию из эмиттера в базу дополнительных дырок. Небольшая их часть ре-комбинирует в базе с электронами, большая же часть диффундирует через базу к коллекторному переходу и уходит в коллектор, увеличивая его ток. [15]
Страницы: 1 2 3 4