Cтраница 3
Измерения е и tg б при высоких частотах в основном производят двумя методами - мостовыми и резонансными. Ввиду сильного влияния паразитных параметров ( дополнительных емкостей, индуктивностей и сопротивлений) стремятся, как правило, проводить измерения дважды с образцом и без образца с тем, чтобы исключить по возможности влияние указанных параметров. При высоких частотах мостовые схемы могут быть применены при условии тщательного экранирования и предварительного уравновешивания моста с целью устранения влияния паразитных емкостей элементов моста и их собственных индуктивностей. [31]
В работе А.Н. Веретенцева и В.Я. Рудяка [ 1987а ] показано, что эволюция сдвигового слоя существенно зависит от амплитуд А, AI и сдвига фаз Лф. При этом амплитуда основной гармоники определяет характер эволюции сдвигового слоя на начальной стадии развития неустойчивости, а амплитуда субгармоники и разность фаз Лф - на стадии вторичной неустойчивости. Влияние указанных параметров на характер изменения толщины потери импульса приведено на рис. 6.11. При фиксированных Л2 4 17 - 10 - 3, Аф тг / 2 ( рис. 6.11 а) и достаточно малой амплитуде основного возмущения существует пологий участок, соответствующий линейной стадии развития неустойчивости. С ростом А ] этот участок становится короче и толщина слоя растет быстрее благодаря более быстрому развитию первичной неустойчивости. На более поздней стадии наблюдается обратная картина - с ростом Л / Лг скорость роста толщины потери импульса уменьшается. Это объясняется тем, что развитие первичной неустойчивости закапчивается прежде, чем субгармоническое возмущение достаточно усилится и начнется стадия вторичной неустойчивости. Как видно из рис. 6.116, в, толщина слоя на этапе развития первичной неустойчивости практически не зависит от амплитуды субгармоники и сдвига фаз. Это связано с тем, что область пучности субгармонического возмущения совпадает с центрами первичных вихревых структур. С уменьшением / увеличением разности фаз развитие вторичной неустойчивости затягивается. [32]
Для того чтобы выяснить влияние изменения параметров дутья на размеры фурменной зоны, необходимо сопоставление проводить в сравнимых условиях. Таким условием является количество газифицируемого в единицу времени углерода или, что все равно, неизменность количества кислорода дутья, подаваемого в фурменную зону. На рис. 256 влияние указанных параметров показано схематично в сравнении с применением хрлод-ного дутья. [33]
Условной единицей измерения помех был принят микровольт эквивалентного ( по действию на стандартизированный приемник) синусоидального напряжения, поэтому для получения идентичных показаний необходимо строго регламентировать те параметры измерителей, которые существенно влияют на показания прибора. Такими параметрами, в основном, являются постоянные времени заряда и разряда детекторной цепи и ширина полосы пропускания приемника. Ниже будет рассмотрен вопрос влияния указанных параметров на результаты измерения радиопомех. [34]
Отмечается лишь [165], что для маломощных ВВ ( тротила, пикриновой кислоты) увеличение диаметра заряда и заглушение открытого ( со стороны поджигания) конца заряда приводило к уменьшению длины преддетонационного участка. Для мощных ВВ ( тэна, гексогена) влияние указанных параметров выражено значительно слабее. [35]
Напряженна вц, при котором осуществлялось циклическое аагруженяе образцов, варьировалось от 0 1 до 0 3 предела текучести. Данные исследований показали, что влияние частоты на-гружения и уровня циклических напряжении на механические свойства при долоне в условиях статического растяжения проявляются по-разному у различных материалов. Вели влияние указанных параметров на предел прочности ( рис. 32 а) тренированных материалов вв существенно, во всякой случав до ICr циклов, то предел текучести ( рис. 32 б) стеля П8ШОТ по мера увеличения наработки в условиях высокочастотного погружения ювотовно растет, а предал текучести ехали 16ПШ эаметно падает. Таким образом, изменения механических свойств натаяла в связи с тренировкой при частотах звукового к ультразвукового диапазонов отличаются от соответствующих изменений механических свойств при тренировке в условиях повторно-статического яагружвния. [36]
По мере насыщения базового кристалла неосновными носителями сопротивление диода уменьшается и соответственно уменьшается напряжение на нем. Если в схеме рис. 3.3, а входное напряжение скачком изменяет полярность и меняется от - - Е до - Е, то диод запирается не мгновенно. Под действием этого тока в течение короткого времени рассасывания tf избыточный заряд неосновных носителей в базовом кристалле рассасывается. Сопротивление диода начинает возрастать и ток через диод - падать. После установления значения обратного сопротивления ( через время уо) обратный ток диода принимает статическое значение Is. У современных быстродействующих диодов значения / уп и уо не превышают сотни ( и даже десятков) наносекунд и влияние указанных параметров сказывается только при малых значениях паразитных емкостей. При значительной емкости нагрузки образуемая ею цепь имеет постоянную времени, существенно превышающую значения уя и tyo, и последними часто пренебрегают. [37]