Cтраница 1
![]() |
Эквивалентная схема симметричного мостового выпрямителя в режиме измерителя напряжения. [1] |
Влияние повышения температуры складывается из двух основных причин: а) влияния температуры на сам измеритель ( что рассмотрено § 4 - 5) и б) влияния температуры на параметры выпрямителя. [2]
Влияние повышения температуры крекинга на выход сухого газа и кокса видно, например; из данных табл. 16, полученных при переработке двух видов сырья на опытных установках. [3]
Влияние повышения температуры гелеобразного осадка на гидратацию полуводного фосфогипса носит в основном тот же характер, что и в случае полуводного гипса. Разница состоит лишь в том, что повышение температуры смеси у долуводного фосфогипса больше, чем у полуводного гипса. [4]
Изучено влияние повышения температуры и давления на полноту разделения омыленного продукта при омылении промытого оксидата ВЖС раствором натриевой щелочи различной концентрации. [5]
![]() |
Эквивалентная схема симметричного мостового выпрямителя с измерителем в диагонали. [6] |
Рассмотрим влияние повышения температуры и увеличения частоты на приборы выпрямительной системы, некоторые способы их компенсации, а также определим погрешность от изменения формы кривой измеряемого тока. [7]
Характер влияния повышения температуры на свойства стали в значительной степени зависит от начальной структуры. [8]
Положительно также влияние повышения температуры отмы-вочного раствора, которое вызывает возрастание скорости движения молекул и, следовательно, скорости реакций. [9]
При исследовании влияния повышения температуры на вязкость модельных обратных эмульсий установлено, что она снижается. Это обусловлено переходом межфазных слоев из конденсированного состояния через жидко-растянутое к газообразному в результате усиления взаимодействия молекул ПАВ с молекулами среды и ослабления связи между собой, а также снижения вязкости дисперсионной среды и ослабления взаимодействия глобул дисперсной фазы между собой. При повышении температуры в эмульсиях в / м зависимость вязкости от концентрации эмульгатора нивелируется. [10]
![]() |
Схема прибора для силицирования. [11] |
Для исследования влияния повышения температуры силицирования на свойства слоев были получены образцы MoSi2 силици-рованием на всю толщину тонких ( 0.1 мм) молибденовых пластин при температурах 1350, 1500, 1600, 1700 С. [12]
Когда под влиянием повышения температуры из заполненной зоны полупроводника электрон переходит в зону проводимости, на его месте в заполненной ( нижней) энергетической зоне остается вакансия - дырка. Ток в таких веществах переносится как электронами, так и дырками, которые могут, вообще говоря, ре-комбинировать. [13]
![]() |
Изменение длительности сушки. [14] |
Выше было рассмотрено влияние повышения температуры сушильного агента на продолжительность первого периода сушки. [15]