Cтраница 1
Влияние сильного поля заключается в том, чтобы перевести зтему в состояние с п па, которое соответствует максимуму рмодинамического потенциала. Именно это состояние следует - рас-атривать в качестве исходного при рассмотрении поведения крис-чла во внешних - полях, поскольку именно из него реализуются з структурные состояния конденсированных систем. При тради-онном подходе рассматривают всего два канала перехода системы лабильного состояния: плавление ( аморфизацию) и кристаллиза-ю. На языке энергетического спектра рассматриваются лишь два эвня Ф, и Фа. На самом деле при наличии внешнего поля может Чествовать целый спектр метастабильных состояний. Поэтому вбужденная система из лабильного может переходить в равновес-з состояние ( с учетом внешнего поля) по нескольким каналам, эт переход обусловливает появление в системе большого числа гастабильных фаз, характеризуемых свойственными только им нкциями распределения. Любое внешнее поле приводит к появ - 1ию новых структурных пар атом - - вакансия, которые и обус-шивают возникновение метастабильных фаз. Состояния, соответ-ующие метастабильным уровням ( рис. 1), - будем называть атом-пансионными. [1]
Под влиянием сильного поля работа выхода из катода снижается, что вызывает появление при нормальных температурах значительных токов, подчиняющихся закону Ричардсона. [2]
Изменяются ли под влиянием сильного поля энергетические уровни решетки кристалла. [3]
Принципиальным моментом является возможность последовательного учета влияния сильного поля на процессы релаксации. Анализ показывает, что релаксационные процессы в полупроводниках в значительной мере подавлены. [4]
Отметим, что мы не учитываем в (5.32) влияния сильного поля на функцию am: такое влияние обнаруживается в решении уравнений, а не в коэффициентах входящих в уравнение величин. [5]
Образование центров окрашивания вблизи точечных электродов даже при наличии кислорода, вероятно, можно объяснить влиянием сильного поля, которое перемещает возникающие центры окрашивания из опасной зоны вблизи поверхности внутрь кристалла, где окисление отсутствует. [6]
Для больших напряженностей поля, приближающихся к разрядным, характерен быстрый рост экспериментальных значений по сравнению с вычисленными, что может обусловливаться влиянием сильного поля на конфигурацию капель в момент их отрыва друг от друга. При вытягивании пары капель в направлении поля их конфигурации приближаются к вытянутым эллипсоидам, что должно привести к увеличению зарядов на разделяющихся каплях. [7]
В частности, подробно рассмотрены уравнения для матрицы плотности и физическая интерпретация различных релаксационных членов. Во второй главе обсуждается отклик среды на влияние сильного поля. Изучив эту часть книги, читатель может по своему усмотрению выбирать интересующие его главы. Для удобства мы приводим схему логических связей между различными разделами. [8]
Примесные уровни и места прилипания электронов являются источниками, откуда поле особенно легко черпает дополнительные электроны. Чем больше таких уровней, тем более заметно влияние сильного поля. [9]
Примесные уровни и места прилипания электронов являются источниками, откуда поле особенно легко черпает дополнительные электроны. Чем больше таких уровней, тем более заметно влияние сильного поля. [10]
Величина ионного тока ограничена максимальным давлением, которое можно создавать, не вызывая появления разряда в объеме. Таким образом, стадией, определяющей скорость образования ионов, является не десорбция ионов под влиянием сильного поля, а диффузия газа к острию. Последняя на один порядок величины больше, чем можно было бы ожидать на основании кинетической теории газов, так как молекулы газа, находящиеся вблизи острия, поляризуются и поэтому притягиваются к острию. [11]
К сожалению, прямых данных о величине подвижности при пробивных полях порядка Ю в-см 1 не имеется. Если считать, что отрицательный ион образуется в результате прилипания электрона к нейтральной молекуле, то под влиянием сильного поля этот электрон может случайно оторваться; тогда средняя подвижность должна зависеть от поля. Эта величина намного больше значений подвижности отрицательных ионов в слабых полях, но вместе с тем значительно меньше величины, ожидаемой для совершенно свободного электрона. [12]
Рассмотрим применение ДР для системы двух спинов АХ. При облучении этой системы слабым радиочастотным полем Н мы наблюдаем спектр, состоящий из двух дублетов. Если систему спинов облучать сильным полем Я2 на частоте резонанса ядра X, то дублет коллапсирует в синглет. Под влиянием сильного поля Я2 ядро X совершает быстрые переходы между двумя спиновыми состояниями, в результате чего происходит эффективная развязка от взаимодействия этого ядра с ядром А. [13]
Дело в том, что с возрастанием полярности растворителя вклад конфигурации с переносом заряда в волновую функцию гетероэксимера должен увеличиваться, а это должно приводить к уменьшению интенсивности переходов с обратным переносом заряда. Согласно такой интерпретации, уширение спектров в неполярных растворителях можно объяснить суперпозицией слабых полос обратного переноса заряда на сильные ионные полосы. Другое объяснение основано на предположении об индуцированном растворителем изменении геометрии гетероэксимера, имеющего структуру контактной ионной пары даже в неполярных растворителях. Ионные полосы поглощения уширяются в неполярных растворителях под влиянием сильного поля проти-воиона. В попярных растворителях расстояние между донором и акцептором в гетероэксимере возрастает вследствие сольватации и это уменьшает влияние поля противоиона. [14]