Cтраница 4
Изучалось влияние магнитного поля на лазерное излучение; при этом поле было направлено параллельно току, текущему через прибор. Это излучение при высоких полях по существу является эффектом, противоположным межзоиному маг-нитопо-глощению ( разд. Из анализа спектров с учетом правил поляризации были получены значения - факторов и приведенных эффективных масс [119]; результаты находятся в хорошем согласии с величинами, приведенными в табл. 12.2. При наложении магнитного поля уменьшается порог генерации. [46]
Рассмотрим влияние магнитного поля на движение электронов в атомах вещества. [47]
Рассмотрим влияние магнитного поля на движение электронов в атомах вещества. В большинстве случаев ввиду малости атомов можно считать, что в пределах каждого из них магнитное поле однородно. [48]
Рассмотрено влияние магнитного поля на излучение газового разряда. [49]
Рассмотрим влияние магнитного поля на каждую из этих компонент отдельно. [50]
Рассмотрим влияние магнитного поля на заряд, финитно движущийся в поле центральной силы. [51]
Исследовано влияние магнитного поля на седимен-тационный процесс отстаивания сусла. [52]
Если влияние магнитного поля обнаружено, то можно предположить, что поле взаимодействует с магнитными свойствами живого организма. Характерная особенность действия магнитного поля на живой организм заключается в том, что он прозрачен для поля. От удара палкой жизненно важные органы тела в той или иной степени защищены мускулатурой. Даже сильный огонь не сразу приводит к тяжелому исходу. Система кровообращения, мускулатура, обладающие электропроводностью, в известной степени могут шунтировать опасный ток. Проникающая радиация частично или полностью поглощается в поверхностных областях тела. И только магнитное поле действует на весь организм сразу в целом: от тела и органа до клетки и отдельных ее молекул и атомов. [53]
Отмечено влияние магнитного поля на радиационную полимеризацию формальдегида в твердой фазе [14-16] ( см. гл. [54]
Рассмотрим влияние магнитного поля на энергию молекулы в трех указанных случаях, не учитывая пока магнитных моментов ядер, определяющих сверхтонкую структуру уровней энергии. [55]
![]() |
Влияние магнитного поля на орбитальное движение электрона. [56] |
Рассмотрим влияние магнитного поля на движение электронов в атомах вещества. В большинстве случаев ввиду малых размеров атомов можно считать, что в пределах каждого из них магнитное поле однородно. [57]
Исследовано влияние магнитного поля на дислокационную структуру молекулярных кристаллов ацетилсалициловой кислоты ( аспирина) и п-ацетаминофена ( парацетамола), широко применяющихся в фармации в качестве жаропонижающих, противовоспалительных средств. С помощью метода травления обнаружено, что магнитное поле смещает дислокации в кристаллах и, кроме того, влияет на морфологию реакционного фронта при их растворении. Для травления кристаллов аспирина была использована смесь растворителей: этиловый спирт - четыреххлористый углерод, ямки травления на грани ( 001) имели форму параллелограммов. [58]
Исследования влияния магнитного поля на расплав показали, что к числу основных достоинств метода относится уменьшение конвективных потоков и колебаний температуры в расплаве. Кроме того, магнитное поле вызывает изменение вязкости расплава, практически прекращается перемешивание массы расплава, что ограничивает транспортировку кислорода от стенок тигля в подкрис-тальную плоскость. В этих условиях концентрация кислорода снижается до значений 5 Ю17 ат / см3 и обеспечивается равномерный характер его распределения по длине кристалла. Расширяется также диапазон УЭС выращиваемых монокристаллов до 1000 Ом см для п-типа электропроводности ( до термической обработки) и снижается скорость растворения кварцевого тигля. Применение вертикального магнитного поля напряженностью 1000 Гс для кремния снижает температурные колебания от 18 до 0 5 К. Следствием этого является снижение микронеоднородности распределения УЭС в объеме кристаллов с 25 - 40 % в обычных кристаллах до 5 % в кристаллах, полученных методом MCZ. Полученные результаты убедительно свидетельствуют о широких возможностях воздействия на качество получаемых монокристаллов магнитного поля. [59]
Изучение влияния магнитного поля дает возможность получить дополнительную информацию о структуре подзон, об эффекте деполяризации и поправках на локальное поле к нему. Если магнитное поле направлено вдоль оси у параллельно поверхности, то на электроны, движущиеся в противоположных направлениях вдоль оси х, действуют различные силы Лоренца, и структура подзон видоизменяется. Обычно в инверсионном слое радиус циклотронной орбиты ( 81 А в поле 100 кГс) намного превышает толщину инверсионного слоя, и магнитное поле можно рассматривать как малое возмущение. Если направление магнитного поля не совпадает с нормалью к поверхности, то перпендикулярная компонента поля квантует движение электрона параллельно поверхности: возникают дискретные уровни Ландау. Хотя параллельная компонента магнитного поля обычно слабо влияет на двумерные свойства, она может значительно изменить спектр межподзонных оптических переходов. [60]