Влияние - внешнее электрическое поле
Cтраница 2
Под влиянием внешнего электрического поля ионы диффузной обкладки, которые в равновесии были равномерно распределены по длине частицы, смещаются вдоль ее поверхности. [16]
Под влиянием внешнего электрического поля электроны зоны проводимости могут переходить на другие уровни той же зоны, так как расстояние между различными уровнями одной и той же зоны мало. При этих переходах образуется преимущественное направление ориентации импульсов электронов, что соответствует появлению электрического тока. [17]
 |
Поперечное поле, обусловленное эффектом Холла ( полупроводник га-типа. [18] |
Под влиянием внешнего электрического поля на полупроводник его проводимость может изменяться, причем это изменение происходит только под действием электрических полей с большой напряженностью. [19]
 |
Иллюстрация механизма поляризации двойного слоя при электрофорезе. [20] |
Под влиянием внешнего электрического поля возникают тангенциальные потоки ионов диффузного слоя, которые перераспределяют их вдоль поверхности: ДС деформируется, поляризуется, отклоняясь от первоначального сферически симметричного строения. Тангенциальные потоки ионов замыкаются через объем электролита ( рис. 1); стационарный обмен ионами между объемом электролита и ДС оказывается возможным благодаря возникающему стационарному перепаду концентрации ионов за пределами ДС. [21]
Под влиянием внешнего электрического поля возникают тангенциальные потоки ионов диффузного слоя, которые перераспределяют их вдоль поверхности: ДС деформируется, поляризуется, отклоняясь от первоначального сферически симметричного строения. Тангенциальные потоки ионов замыкаются через объем электролита ( рис, 1); стационарный обмен ионами между объемом электролита и ДС оказывается возможным благодаря возникающему стационарному перепаду концентрации ионов за пределами ДС. [22]
Под влиянием внешнего электрического поля ионы диффузного слоя, движущиеся как стоксовские частицы к противоположному электроду, вовлекают в общий поток и молекулы дисперсионной среды, находящейся в порах системы. Рассмотрим ход рассуждений, приводящий к получению зависимости для скорости электроосмотического течения жидкости между двумя плоскими поверхностями. [23]
Рассмотрим теперь влияние внешнего электрического поля и теплового возбуждения на переходы электронов между соседними разрешенными зонами. При обычных разностях потенциалов, приложенных к кристаллу, энергия, получаемая электроном на длине свободного пробега, недостаточна для переброса электрона в следующую разрешенную зону. Повышение температуры может привести к передаче электрону значительно большей энергии. Поэтому тепловой механизм возбуждения обусловливает как внутризонные, так и межзонные переходы электронов. [24]
 |
Термоэлектрический прибор. [25] |
Для уменьшения влияния внешнего электрического поля применяется экранирование. Электростатический экран представляет собой в простейшем виде слой электропроводящей краски на внутренних стенках корпуса прибора. Экран лучшего качества делают из латунной фольги. [26]
 |
Термоэлектрический прибор. [27] |
Для уменьшения влияния внешнего электрического поля применяется экранирование. Электростатический экран представляет собой в простейшем виде слой электропроводящей краски на внутренних стенках корпуса прибора, Экран лучшего качества делают из латунной фольги. [28]
Отметим, что влияние внешнего электрического поля определяется квадратом напряжения U2 UQ cos2 fit. Если UQ 0, то vn 0 и уравнения интегрируются в явном виде. Получающееся решение описывает свободные осесимметричные колебания круглой мембраны. [29]
Этот эффект ( влияние внешнего электрического поля на адсорбционную способность1 полупроводника) пока никем не был экспериментально исследован. Расчет, проведенный В. Б. Сандомирским и мной [25], показывает, однако, что этот эффект при определенных условиях может быть экспериментально обнаружен. [30]
Страницы: 1 2 3 4