Влияние - приложенное поле
Cтраница 1
Влияние приложенного поля состоит в стимулировании индуцированного перехода между двумя электронными состояниями молекулы. [1]
Под влиянием приложенного поля различные компоненты двигаются к электродам с различной скоростью и разделяются на зоны. Однако после отключения электрофоретической ячейки все зоны начинают смешиваться за счет свободной диффузии. Следовательно, положение разделяемых частиц в ячейке следует оценивать в процессе их миграции. Для проведения таких измерений требуется дорогостоящее оборудование; необходим также строгий контроль экспериментальных условий, В связи с этим большинство электрофоретических измерений в настоящее время проводят методом зонного электрофореза. [2]
Под влиянием приложенного поля дырки в кристалле пере двигаются в направлении поля со скоростью 1 9 км / сек. [3]
Поток ионов в растворе, возникающий под влиянием приложенного поля, обусловлен тем, что среднее число активированных скачков ионов в направлении поля больше, чем в обратном направлении. [4]
Следует отметить, что, в отличие от свободного электрона, ускоряющегося под влиянием приложенного поля, электрон в полупроводнике обладает постоянной средней энергией в присутствии приложенного извне поля. Детальные причины постоянства результирующей скорости в действительности весьма сложны. Простейшая картина, которая достаточно точна, заключается в следующем. Под действием внешнего и внутреннего полей, окружающих атомы, каждый электрон получает ускорение. Однако сохранить это ускорение электрон не может, так как время от времени он сталкивается с решеткой. Процесс столкновений можно рассматривать как случайный. В идеальном кристалле потенциал в кристаллической решетке имеет идеальную периодичность. В реальном кристалле потенциал не имеет идеальной периодичности из-за наличия атомов примеси или атомов, отклонившихся от своих нормальных положений из-за присутствия атомов гам, где они не должны находиться, или наличия дислокаций, а также из-за того, что при температурах выше абсолютного нуля всегда имеются колебания решетки и, следовательно, фононы. [5]
Двигаясь под действием внешнего электрического поля, электроны приобретают на протяжении свободного пути X кинетическую энергию, связанную с направленной скростью v, которую они при столкновении передают остову решетки металла. Под влиянием приложенного поля эта кинетическая энергия электронов возникает вновь после каждого столкновения и вновь передается металлу. Таким образом, металл нагревается за счет работы сил электрического поля. [6]
 |
Потенциальная энергия электронов в металле в отсутствие поля и при наложении поля. [7] |
Хотя автоионная микроскопия позволяет эффективно наблюдать расположение атомов поверхности и отдельных адсорбированных атомов и их перемещение, определять энергетические свойства поверхности этим методом не представляется возможным. В этом отношении автоионная микроскопия уступает автоэлектронной. Основное уравнение автоэлектронной эмиссии, выведенное Фаулером и Нордхеймом [118], описывает влияние приложенного поля на скорость эмиссии электронов. На рис. V-23 приведена упрощенная схема эмиссии электронов поверхностью металла. В отсутствие поля энергетический барьер, соответствующий работе выхода Ф, предотвращает утечку электронов из зоны Ферми. Теперь становится возможным квантово-механический процесс туннелиро-вания электронов. [8]
Фигуры пробоя могут быть положительными или отрицательными в зависимости от знака напряжения, приложенного к игольчатому электроду; две фигуры противоположной полярности или идентичны ( подобны), или различны в зависимости от соотношения симметрии между ними. Для того чтобы дать точное определение этим соотношениям, сначала необходимо определить направление пути пробоя. Условимся, что направление пути дано направлением движения гипотетического отрицательного пробного заряда, который движется по некоторой траектории под влиянием приложенного поля. Так, отрицательная фигура состоит из ветвей, направленных от электрода, тогда как пути пробоя, образующие положительную фигуру, направлены к электроду. [9]
Фигуры пробоя, которые подобны в кристаллах высокой симметрии, могут быть различны в кристаллах, имеющих меньшую степень симметрии. Заметное различие в процессах пробоя с изменением полярности, объясняющее эффекты, наблюдаемые в ADP и KDP, могло быть получено, если бы в процессе пробоя при одной полярности доминировали электроны, а при другой дырки. Электрон, движущийся под влиянием приложенного поля и находящийся под влиянием его взаимодействия с решеткой, вызывает появление как электронной, так и дырочной лавины, поскольку при каждом ионизирующем столкновении образуется пара электрон-дырка. [10]
Это уравнение не справедливо для жидкостей или кристаллов. Оно справедливо лишь для веществ с диэлектрической проницаемостью, весьма близкой к единице, как это имеет место в случае газов. Для других веществ следует рассматривать уравнение, которое выводится при учете влияния индуцированных моментов соседних молекул на данную молекулу, испытывающую поляризацию. В поляризованной среде каждая молекула подвергается действию электрического поля в области, занимаемой данной молекулой, которая называется локальным полем. Для многих веществ локальное поле удовлетворительно описывается выражением, выведенным в 1850 г. Клаузиусом и Моссотти. Считают, что каждая молекула занимает сферическую полость. Часть вещества, находящаяся вне полости, испытывает поляризацию под влиянием приложенного поля. [11]
Страницы: 1