Влияние - положение
Cтраница 4
В работе [35] было отмечено влияние положения ал-кильной группы в ароматическом кольце алкилпириди-на на его противоизносную эффективность, причем подчеркивалось, что положение даже таких коротких ал-кильных групп, как метальные, существенно влияет на противоизносные свойства алкилпиридинов. Так, при испытании масла Б с 4-метилпиридином диаметр пятна износа на шарике был равен 0 37 мм, а при испытании с 2-метилпиридином 0 45 мм. С ростом длины алкиль-ного заместителя это различие увеличивалось: при испытании 4-этилпиридина диаметр пятна износа равен 0 41 мм, а при испытании 2-этилпиридина 0 55 мм. У грег-бутилпиридинов этот эффект был не столь резко выражен, но тенденция все же сохранялась: 0 50 мм для 4-грег-бутилпиридина и 0 58 мм для 2-грег-бутилпи - ридина. [46]
В работе рассмотрены результаты исследования влияния положения уровня Ферми на процессы хемосорбции и катализа метопом легирования окислов полупроводниковой природы и методом наложения внешнего электрического поля, изменяющего положение уровня Ферми при неизменном химическом составе полупроводника. Последний метод подтверждает, в согласии с электронной теорией, влияние положения уровня Ферми на процессы хемосорбции и катализа с образованием заряженных форм. Метод легирования приводит к получению для хемосорбции часто противоречащих электронной теории результатов, которые могут быть объяснеды с помощью уравнения Ворескова. Это уравнение, предложенное для расчета теплоты адсорбции частиц в заряженном состоянии, содержит два члена, зависящих от катализатора. Первый - работа выхода электрона - зависит от положения уровня Ферми на поверхности и второй, определяющий величину теплового эффекта взаимодействия заряженной частицы на данном участке поверхности, связан с локальными свойствами поверхности. Для объяснения хемосорб-ционных данных следует допустить высокое значение последнего слагаемого, превышающее часто значение первого. Из проведенного рассмотрения следует, что при вариации химического состава полупроводника нельзя на основании только электрических характеристик сделать однозначные выводы об изменении адсорбционных и каталитических свойств. [47]
 |
Зависимость напряжения прикосновения от расстояния. [48] |
На рис. 4.9, а показано влияние положения человека относительно заземлителя при одиночном заземлителе на величину напряжения прикосновения. [49]
 |
Влияние на параметр. [50] |
Представленные здесь расчетные формулы не отражают влияния положения ПЭД в скважине. Аналогичные уравнения, учитывающие неосесимметричность теплового источника, весьма громоздки и здесь не приводятся. [51]
На рис. 4.9, а показано влияние положения человека относительно заземлителя при одиночном заземлителе на величину напряжения прикосновения. [52]
 |
Влияние на параметр. [53] |
Представленные здесь расчетные формулы не отражают влияния положения ПЭД в скважине. Аналогичные уравнения, учитывающие неосесимметричность теплового источника, весьма громоздки и здесь не приводятся. [54]
Динамометрический ключ, у которого устранено влияние положения руки рабочего на показания прибора, приведен на фиг. Шкала 5 прикреплена к корпусу 2, жестко связанному со стержнем ключа. Благодаря шарнирной рукоятке плечо А передачи усилия остается постоянным. [55]
 |
Анализ продуктов окисления. [56] |
Нам остается еще рассмотреть вопрос о влиянии положения группы СН в молекуле углеводорода на стабильность последнего. [57]
У станков с горизонтальной осью револьверной головки влияние положения головки на точность диаметральных размеров при наружном и внутреннем точении зависит от того, как производится обработка: с фиксированной или с освобожденной револьверной головкой. В первом случае точность диаметрального размера зависит от настройки резцового инструмента, во втором - от положения поперечного упора. [58]
 |
Зависимость высоты ( кривая 1 и ф. / 2 волпы индия ( 2 - катодная, 3 - - анодная от состава хлоридно-сульфатного фона. [59] |
Па примере с индием интересно проследить характер влияния положения точки пулевого заряда поверхности электрода на процесс его восстановления, так как потенциал восстановления индия находится вблизи точки пулевого заряда ртути. Изменяя положение точки нулевого заряда ртути в пределах нескольких сот милливольт, например за счет специфической адсорбции поверхностно-активных анионов, можно проследить за процессом восстановления индия в области положительного или отрицательного заряда поверхности ртути. [60]
Страницы: 1 2 3 4