Изменение - размер - кристалл
Cтраница 2
 |
Схема зависимости числа рефлексов на дебаевском. [16] |
Следует отметить, что пнкь меняется сильнее при изменении размера кристаллов, чем число зерен на металлографическом шлифе, так как последнее пропорционально D-2, a Пнкь-Ь-3. Однако надо иметь в виду, что выражения (14.48) и ( 14.48) справедливы для изотропного распределения зерен по ориентировкам, и их нельзя использовать для анализа материалов с ярко выраженной текстурой. [17]
Одним из важных эффектов воздействия облучения на вещество является изменение размеров кристалла. При образовании вакансии, когда окружающие ее атомы не релаксируют, происходит уменьшение плотности. Это связано с тем, что атом, покинувший узел решетки и вышедший на поверхность, увеличивает объем кристалла. Поскольку масса остается постоянной, - происходит уменьшение плотности. Наоборот, если образуется межузельный атом, плотность увеличивается. При отсутствии релаксации соседних с дефектом атомов параметр кристаллической решетки не изменяется. [18]
Для оценки вклада перекристаллизации необходимо знать причины, вызывающие изменение размера кристаллов в колонне. То, что кристаллы, движущиеся по колонне, в любом ее заданно. Болзейтис [212] принял, что в первом приближении распределение кристаллов по размерам в сечении колонны подчиняется закону нормального распределения, и на основании этого вывел выражение для расчета степени выхода продукта. При этом-считалось, что очистка кристаллов происходит преимущественно за счет их экстрактивной отмывки поднимающимся расплавом. [19]
Было бы неправильно искать причины изменения релаксационных свойств стекол только в изменении размера кристаллов AgHal. [20]
 |
Зависимость числа кристаллов серебра от напряжения на серебряном электроде при различных обработках электрода ( А. Т. Ваграмян, А. П. Полков. [21] |
В случае осаждения металла из растворов простых солей применение реверсированного тока вызывает изменение размера кристаллов. [22]
Уменьшение микротвердости шлифованной поверхности электролитического хрома и увеличение его пористости нельзя объяснить изменением размеров кристаллов, так как трудно предположить, что в процессе шлифования возможен рост кристаллов. Доказано, что при любой механической обработке происходит не рост кристаллов, а механическое раздробление их. [23]
Прокаливание при температурах 600 - 1300 устраняло эти изъяны, что сопровождалось изменением размеров кристаллов. [24]
Из уравнений ( 2) и ( 3) вытекает, что при изменении размера кристаллов разделение, достигаемое на участках колонны одинаковой длины, должно быть различным, что, на наш взгляд, и является причиной неэкспоненциального распределения примеси по высоте колонны. [25]
Соотношение ( 111 - 36) позволяет охарактеризовать распределение примеси по колонне в случае изменения размеров кристаллов твердой фазы. Для этого необходимо знать аналитическую зависимость W от z, которая может быть определена экспериментально. [26]
В последнее время наряду с термомеханической обработкой применяют дополнительное упрочнение путем приложения магнитного поля, вызывающего в силу известного явления магнитострикции изменение размеров кристаллов. [27]
Все сказанное позволяет считать, что при достаточной чистоте препарата хлорида калия, легко достигаемой перекристаллизацией, независимо от применяемого метода калориметрирования ( лишь бы он обеспечивал точность 0 1 ч - 0 3 %) и независимо от обработки соли ( сушка; сплавление; изменение размеров кристаллов) получаются воспроизводимые значения & Нт. Доступность хлорида калия и указанные его свойства позволяют рекомендовать эту соль в качестве достаточно надежного калориметрического стандартного вещества. [28]
Гетерогенный изотопный обмен ионами между кристаллическим осадком и насыщенным раствором протекает по следующим основным стадиям: диффузия ионов из раствора к поверхности твердой фазы ( может быть исключена сильным перемешиванием); закрепление иона на поверхности твердой фазы; перекристаллизация соли путем переноса вещества с одного участка кристалла на другой, что может происходить как с изменением размеров кристалла, так и без него; внедрение иона в поверхностный слой твердой фазы путем обмена с соседними ионами по бимолекулярному механизму или за счет циклического процесса, при котором смещаются несколько ( 5 - 6) ионов; внедрение иона внутрь кристаллической решетки за счет обменной диффузии или диффузии по вакансиям и междоузлиям. Последний процесс, являясь наиболее медленным, определяет кинетику гетерогенного обмена. В результате внешнего и внутреннего облучения кристалла последний приобретает так называемую запасенную энергию. Облучение вызывает образование равновесных и неравновесных дефектов кристаллической структуры, что оказывает влияние прежде всего на обменную диффузию. [29]
 |
Изменение характеристики магнитной порошковой муфты в функции времени ( а временное запаздывание после приложения сиг. [30] |
Страницы: 1 2 3 4