Влияние - проводимость
Cтраница 3
По мере же удаления от электрода начинает сказываться все в большей степени влияние проводимости нижележащего слоя. Это влияние приводит к снижению градиентов потенциала, если нижележащий слой обладает большей проводимостью, чем поверхностный слой, и к их повышению в обратном случае. [31]
В табл. 3 - Ю приведены частные случаи этих выражений, когда можно пренебречь влиянием динамических проводимостей g0 и g3 транзисторных ключей. [32]
Возвратимся теперь к цепи, содержащей ветви, в которой имеется гиратор, и проверим влияние проводимости гиратора на величину определителя цепи. Гиратор содержит три ветви из тиристоров. Все деревья цепи могут быть разделены на три класса: не содержащие ветвей гираторов, содержащие одну ветвь гиратора и содержащие две ветви гираторов. При выборе узла, который надо заземлить, нужно найти деревья, содержащие только одну ветвь гиратора, в виде пары тиристоров, величины которых равны, но знаки противоположны. Следовательно, деревья, содержащие только одну ветвь с гиратором, можно не учитывать при расчете величины определителя. Кроме того, деревья, содержащие по две гираторные ветви, существуют тройками, величины которых одинаковы, за исключением знаков. При любом заземленном узле можно показать, что квадрат проводимости гиратора два раза ( из трех) входит с положительным знаком и третий раз с отрицательным. [33]
При у0 эти формулы переходят в соответствующие равенства для диэлектрика и в очень ясной форме представляют влияние проводимости среды на характеристики волны. [34]
 |
Схема измерения сопротивления заземляющих устройств с помощью амперметра и вольтметра. [35] |
Измерения выполняют по схеме, приведенной на рис. XV.5. Питание схемы непосредственно от сети недопустимо из-за влияния проводимости изоляции сети на результат измерения. Дляццдтания схемы могут быть использованы сварочные, нагрузочные и котельные трансформаторы. Амперметр и вольтметр к испытуемому заземли-телю следует подключать отдельными проводами, так как в противном случае при случайном отсоединении от заземлителя соединенных вместе проводов вольтметр окажется под полным напряжением и может быть поврежден. [36]
При измерении влажности материалов с постоянным химическим составом, не содержащих большого и переменного количества электролитов, влияние проводимости датчика на параметры контура и генератора учитывается эмпирической градуировкой влагомеров. Потери резко увеличиваются с ростом влажности; минимальное допустимое активное сопротивление датчика ограничивает верхний предел измеряемой влажности материала, а рост затухания контура влечет за собой увеличение погрешностей и уменьшение чувствительности измерительной части влагомера по мере повышения влажности. Из этого следует, что во влагомерах по резонансной схеме диэлектрические потери затрудняют измерение влажности и ухудшают метрологические показатели измерительных устройств. [37]
Довольно близкое совпадение наших результатов с данными для монокристаллов свидетельствует о том, что в области высоких температур влиянием проводимости по поверхности образцов или прослойками между зернами можно пренебречь, а получаемые результаты относятся именно к объемному сопротивлению окиси магния. [38]
На рис. 1 приведены две кривые для двух кристаллов свинцового блеска различной проводимости; как видно, и здесь влияние проводимости толщи вполне аналогично вышеописанному. [39]
Поскольку при приближении частицы к электроду или к другой частице неоднородность воздействующего на нее поля резко возрастает, развшая теория может быть использована для оценки влияния проводимости среды и заряда частиц па их взаимодействие в объеме и с электродом. [40]
В действительности же датчик по схеме на рис. 3 - 2 а защищен от возможности прямого замыкания обкладок через материал с высокой проводимостью, но отнюдь не свободен от влияния проводимости. Легко выразить активную и реактивную составляющие проводимости эквивалентной цепи через параметры датчика и последовательной емкости. Обозначим соответственно через Уэ, Оэ и Вэ полную, активную и реактивную проводимости эквивалентной параллельной цепи. [41]
Для расчетов только в области высоких частот ( 5fp / / a) П - образную схему можно упростить, как показано на рис. 9 - 69, поскольку влияние проводимостей g 3 и gK 6 здесь становится несущественным. [43]
В табл. 3 - 6 приведены приближенные выражения для К, и GBXCp схемы вида L-2, полученные из уравнений ( 3 - 60) и ( 3 - 61) для случая, когда можно пренебречь влиянием динамических проводимостей транзисторного ключа. [44]
Особенно неприятно влияние проводимости, поскольку ее изменения могут не только заметно изменять величину w, но и приводить к изменению ее знака. Предварительно следует попытаться определить соотношение проводимостей на отдельных участках потока по данным о соотношении градиентов напора в такие периоды стационарного режима, когда инфильтрация практически отсутствует. [45]
Страницы: 1 2 3 4