Cтраница 4
В инжекционных ПЛ присутствует значительное количество примесей. Рассмотрим влияние рассеяния на заряженных примесях на работу ПЛ. [46]
Рассмотрим влияние неселективного рассеяния света в приборе на измерение характеристик линии поглощения и способы учета этого влияния. [47]
![]() |
Введение поправок на рассеяние. [48] |
Рассмотрим влияние неселектив-лого рассеяния света в приборе на измерение характеристик линии поглощения и способы учета этого влияния. [49]
![]() |
Зависимости дрейфовых скоростей электронов и дырок в Si и электронов в GaAs от напряженности электрического поля. [50] |
Здесь an, S; F, В - постоянные параметры, значения которых для электронов и дырок приведены в таблице 2.4 ( экспериментальные данные); размерность напряженности электрического поля Е - В / см; No - концентрация примеси. Формула (2.55) учитывает влияние примесного рассеяния и ее удобно использовать для анализа характеристик приборов при расчетах на ЭВМ. [51]
Результаты показаны на фиг. Видно, что влияние рассеяния электронов на дырках на подвижность при температуре ниже 1200 К незначительно. [52]
В доказательстве этого утверждения имеется один пункт, не разобранный с достаточной полнотой. Речь идет о влиянии рассеяния мезона мезоном на вершинную часть. Хотя простейшая диаграмма а, включающая интересующий нас эффект ( в обозначениях [1, 2] она пропорциональна [ In A, 2 ] 1) 1, мала и не может играть роли, тем не менее диаграмма б, содержащая еще один акт рассеяния мезонов, оказывается такого же порядка, что и а. Таким образом, возникает задача о суммировании большого числа различных диаграмм, обязанных рассеянию мезона мезоном. [53]
В книге Кимбарка метод получил дальнейшее развитие и распространен на любые системы возбуждения. Впервые здесь оказалось четко рассмотренным влияние рассеяния обмоток возбуждения возбудителя. Эти системы слабо отражены IB нашей технической литературе и почти не применяются у нас. Вместе с тем представляется, что в ряде случаев такие системы возбуждения могли бы быть и надежными и достаточно эффективными. К недостаткам этой главы следует отнести то, что автор совершенно не рассматривает широко у нас распространенную систему компаундирования. В этой главе исключены описания некоторых устаревших типов регуляторов. [54]