Влияние - решетка
Cтраница 1
Влияние решетки на электрон, движущийся в ней под действием внешней силы F, формально можно свести к действию силы сопротивления Fc. [1]
Влияние решетки прежде всего проявляется в появлении клеточного эффекта, возникающего, как и в жидкости, за счет того, что после образования первичных продуктов распада ( например, радикалов) необходимо хотя бы один из них путем диффузии вывести в соседнюю ячейку во избежание рекомбинации. [2]
Тем самым влияние решетки кристалла на электрон эффективно сводится к изменению его массы. Разумеется при этом масса кристалла в целом не меняется. [3]
Над зоной влияния решетки располагается вторая зона - основного кипящего слоя. [4]
Пренебрегая коэффициентом влияния решетки для выбранного профиля, можем определить по его полярам требуемый угол атаки av Нужно заметить, что характеристики, определенные опытным путем, зависят от удлинения, так как подъемная сила крыла ( например крыла самолета) в середине крыла больше, чем на концах, потому что разность давлений между верхней и нижней сторонами стремится выравняться у кромки крыла. [5]
Для количественного описания влияния решетки рассмотрим для простоты уже разобранную нами выше одномерную бесконечную цепочку, составленную из одинаковых атомов с одинаковым расстоянием а между ними, причем реальную периодическую цепочку потенциальных ям ионов заменим цепочкой прямоугольных потенциальных ям, расположенных друг от друга на таком же расстоянии а, как и ионы в кристалле. Когда атомы далеко друг от друга, волновые функции их валентных электронов точно такие же, как у изолированных атомов. По мере сближения атомов для электрона, как мы показали выше, появляется возможность перескочить с одного атома на другой. [6]
Член в скобках учитывает влияние решетки фермы. [7]
Начиная с этого момента, влияние решетки на течение перед ней при отрицательных углах атаки исчезает. [8]
Конечно, в рассмотренной модели сильной связи влияние решетки предельно упрощено, но она качественно правильно передает основные черты поведения коллективизированных электронов ( электронов проводимости) в кристалле. [9]
Другой не менее важной величиной, отражающей влияние решетки на наблюдаемый спектр, является время спин-решеточной релаксации. Существенно то, что эта теория позволяет связать параметры спектра ЭПР ( значения и анизотропию g - фактора, расщепление уровней) для определенных конфигураций парамагнитных ионов с типом симметрии окружающего этот ион кристаллического поля. Очень важно, что параметры спектра. [10]
Для случая парамагнетиков, когда можно пренебречь обменным взаимодействием, влияние решетки определяется следующими тремя обстоятельствами. [11]
Величина / ip позволяет обеспечить наименьшее значение h и исключить влияние стабилизирующей решетки на движение частиц в слое. [12]
С помощью относительной разности углов можно простым способом вычислить коэффициент k1 влияния решетки для изогнутого по дуге круга профиля, обтекаемого в направлении хорды. [13]
Этот график с достаточной степенью точности может быть использован для определения влияния решетки из пластин и слабо изогнутых дужек. [14]
 |
Сечение изоэнергетической поверхности первой зоны Бриллюэна для простой кубической решетки в методе сильной связи ( а и приближении почти свободных электронов ( б. [15] |
Страницы: 1 2 3