Cтраница 1
![]() |
Переходные характеристики статического звена без обратной связи h0 ( t и охваченного отрицательной жесткой обратной связью h ( t. [1] |
Влияние положительной обратной связи противоположно и в отношении перечисленных выше дополнительных факторов. [2]
Оценим влияние положительной обратной связи по току якоря на ошибку по скорости, обусловленную приложением статической нагрузки / с. Для этого сначала структурную схему электропривода изобразим, как на рис. 3.9 а, после чего рассмотрим вид передаточной функции и частотной характеристики электропривода по каналу / с - п при различных значениях коэффициента усиления К0т канала ОТ. [3]
Для устранения ( уменьшения) влияния положительной обратной связи очень важно, измеряется ли ее выходной сигнал. Если же сигнал измеряется, то влияние положительной обратной связи можно скомпенсировать. [4]
![]() |
Схема к упражнению 2. [5] |
При проектировании электронных устройств на биполярных транзисторах следует учитывать влияние местной положительной обратной связи, проявляющейся в увеличении входного тока от выходного напряжения. Такая связь в большинстве случаев нежелательна, так как устройство может выйти из режима нормальной работы и даже возбудиться. Во избежание этого рекомендуется использовать транзисторы, у которых входные вольт-амперные характеристики стягиваются в узкий пучок семейства характеристик. Большой разброс семейства входных характеристик свидетельствует о наличии в транзисторе данного типа заметной местной обратной связи. [6]
Настройка коэффициента усиления регулятора ( диапазона дросселирования) достигается изменением степени влияния основной положительной обратной связи за счет большего или меньшего открытия дросселя ДД. [7]
![]() |
Зависимость коэффициентов ионизации электронов и дырок от напряженности поля в кремнии при комнатной температуре. [8] |
Сильная зависимость коэффициента от напряженности поля в области умножения проистекает от двух основных причин: существует положительная обратная связь между коэффициентом умножения и напряженностью поля из-за наличия двух типов носителей, которые могут ионизировать; скорость ионизации экспоненциально возрастает с ростом напряженности поля. Рассмотрим влияние положительной обратной связи. Если в область умножения инжектируется чисто электронный ток, то сначала первичные электроны генерируют вторичные пары. Вторичные электроны становятся неотличимыми от первичных. Вторичные дырки движутся в противоположном направлении и во время движения генерируют новые пары. [9]
Для устранения ( уменьшения) влияния положительной обратной связи очень важно, измеряется ли ее выходной сигнал. Если же сигнал измеряется, то влияние положительной обратной связи можно скомпенсировать. [10]
Положительная обратная связь повышает усиление охватываемых каскадов, но вместе с тем увеличивает уровень помех, нелинейные искажения, сдвиг фазы и уменьшает стабильность усиления; сильная положительная обратная связь приводит к самовозбуждению усилителя. Таким образом, отрицательная обратная связь улучшает большинство показателей качества усилителя, влияние положительной обратной связи, наоборот, сводится к нежелательному изменению многих показателей качества. Поэтому в усилителях сигналов следящего привода и особенно в решающих усилителях, используются почти исключительно искусственные отрицательные обратные связи. [11]
Система автоматического регулирования реакторно-регенераторного блока базируется на выбранных выше основных каналах передачи управляющих воздействий и результатах анализа влияния положительной обратной связи. [12]
![]() |
Зависимость коэффициентов усиления составляющих транзисторов от тока.| ВЛХ диннстора. [13] |
Процесс возникновения отрицательного сопротивления в тиристоре аналогичен тому, который вызывает появление участка отрицательного сопротивления на ВАХ диода при тепловом пробое. Отличие состоит только в том, что при тепловом пробое обратный ток экспоненциально увеличивается за счет нагрева, а в тиристоре экспоненциальное увеличение тока, протекающего через переход Яг, происходит под влиянием положительной обратной связи в структуре, обеспечиваемой усилением составляющих транзисторов. ВАХ на участке отрицательного сопротивления должна сниматься с помощью генератора постоянного тока с достаточно большим внутренним сопротивлением. [14]
Относительно широкое распространение симметричных балансных схем объясняется рядом преимуществ их по сравнению с небалансными. Преимущества заключаются в значительно меньшем ( в сотни раз) влиянии на работу схем таких факторов, как колебание величины напряжения источника анодного питания, температуры окружающей среды, старения элементов схемы, влияния положительной обратной связи через источник анодного напряжения. [15]