Изменение - распределение - потенциал
Cтраница 2
Соединение протяженного подземного металлического - сооружения с тем или иным элементом отсасывающей системы эквивалентно ( с точки зрения распределения токов в системе рельс-земля) подключению к этому элементу заземлителя, обладающего некоторым конечным сопротивлением R. Естественно, что включение дренажного устройства вызывает изменение распределения потенциалов рельсов относительно земли U, изменение загона распределения тока, текущего вдоль рельсюв / v, и, очевидно, изменение распределения потенциалов в земле. Кроме того, приключение дренажной защиты вызывает значительные местные изменения потенциала сооружения по отношению к близлежащим слоям земли. Получающиеся при этом явления можно рассматривать, пользуясь принципом наложения, так как все искомые величины находятся в линейной зависимости от внешних нагрузок. Каждый из двух действующих факторов вызывает определенное распределение потенциалов между внутренней и внешней поверхностями изоляции подземного сооружения. [16]
Такой диод обладает выпрямительными свойствами. Этот электрод помещают вне диэлектрика, что обеспечивает изменение распределения потенциала в последнем. [17]
Соединение протяженного подземного металлического - сооружения с тем или иным элементом отсасывающей системы эквивалентно ( с точки зрения распределения токов в системе рельс-земля) подключению к этому элементу заземлителя, обладающего некоторым конечным сопротивлением R. Естественно, что включение дренажного устройства вызывает изменение распределения потенциалов рельсов относительно земли U, изменение загона распределения тока, текущего вдоль рельсюв / v, и, очевидно, изменение распределения потенциалов в земле. Кроме того, приключение дренажной защиты вызывает значительные местные изменения потенциала сооружения по отношению к близлежащим слоям земли. Получающиеся при этом явления можно рассматривать, пользуясь принципом наложения, так как все искомые величины находятся в линейной зависимости от внешних нагрузок. Каждый из двух действующих факторов вызывает определенное распределение потенциалов между внутренней и внешней поверхностями изоляции подземного сооружения. [18]
 |
Структура диэлектрического диода.| Структура диэлектрического транзистора с изолированным затвором. [19] |
Низкоомные области, образованные из полупроводника р - типа с высокой дырочной электропроводностью, выполняют роль металлических ячеек сетки электровакуумного триода. Подаваемое на эти области внешнее напряжение управляет величиной тока, протекающего между истоком и стоком. В другом типе диэлектрического транзистора ( рис. 8.29) затвор находится вне диэлектрика CdS; его роль сводится к изменению распределения потенциала в диэлектрике, что существенно влияет на величину тока. [20]
В случае распределения потенциала, соответствующего кривой 3, между анодом и катодом образуется минимум потенциала, делящий все пространство на два участка: участок от катода до минимума потенциала и участок от минимума потенциала до анода. Электроны, эмнттируемые катодом, попадают на первом участке в тормозящее поле. Анода достигают только те электроны, которые обладают начальной энергией, достаточной для пре-одоления минимума потенциала. Электроны с меньшей начальной энергией возвращаются на катод. В этом случае анодный ток меньше тока эмиссии и при заданной величине эмиссии катода зависит только от потенциала анода, так как изменение распределения потенциала в пространстве анод - катод может быть достигнуто только за счет изменения анодного напряжения. Такой режим, при котором анодный ток ограничивается объемным зарядом, называется режимом объемного заряда. [21]
Страницы: 1 2