Cтраница 1
Влияние тока утечки на режим ничтожно мало и его можно не учитывать. Вредное воздействие этого тока заключается в том, что он вызывает коррозию провода первичной обмотки в тех местах, где он с провода переходит в изоляцию. Это явление особенно интенсивно, если трансформаторный каскад работает в условиях высокой влажности. В результате коррозии провод обрывается ( обычно около его вывода), и трансформатор выходит из строя. Герметизация трансформатора существенно ослабляет коррозию. [1]
![]() |
Эквивалентные схемы диффузионного резистора. [2] |
Влиянием тока утечки запертого транзистора пренебрегают, если ток, протекающий через резистор, во много раз больше тока утечки. [3]
![]() |
Конструкция камеры радиоактивного манометра. [4] |
Для устранения влияния токов утечки между центральным электродом и корпусом камеры вводят охранное кольцо, которое хорошо изолируют от коллектора и заземляют. Чтобы избежать возникновения токов утечки и упростить конструкцию прибора, электрометрическую лампу вместе с монтажем обычно размещают в одной оболочке с камерой; в этом случае лампа находится при измеряемом давлении. Это исключает необходимость применения проходного изолятора между коллектором и камерой. При такой конструкции коллектором может служить конец высокоомного сопротивления, подключаемого к сетке лампы. [5]
Для исследования влияния токов утечки и притекания были оборудованы лабораторные установки и полевой стенд. [6]
Для исключения влияния токов утечки, которые могут изменить результаты измерения, прибор снабжен специальным экраном, с выведенным наружу зажимом. [7]
![]() |
Осциллограмма напряжения в нагрузке фотодиода. [8] |
Это позволяет избежать влияния тока утечки фотодиода при подаче обратного смещения на работу фотодиода. [9]
Эффективным средством уменьшения влияния токов утечки является четвертый вид соединения экрана. [10]
Вследствие этого при однополярном управлении влияние токов утечки между электродами транзистора сказывается слабее, чем при двухполярном; в подавляющем большинстве случаев им можно пренебречь. [11]
Применение методов компенсации позволяет устранить влияние токов утечки транзисторов в широком диапазоне температур, однако при этом возникает дополнительная частотная погрешность за счет нестабильности амплитуды управляющего напряжения, которая определяется элементами схемы компенсации. [12]
R или С) повышает влияние токов утечки емкости на точность интегрирования. Практически трудно создать хорошую цепь интегрирования с Г10 сек. Для реальных схем Т, как правило, берется не более 1 сек. [13]
Это обстоятельство ограничивает возможности устранения влияния токов утечки путем повышения изоляции частей установки, так как удовлетворительные результаты могут быть получены только при напряжении источника питания ( БН), не превышающем 25 - 30 в. [14]
Погрешность - у7, обусловленная влиянием токов утечки, может стать одной из основных составляющих погрешности мер большого сопротивления, вследствие чего анализу влияния токов утечки на погрешность мер большого сопротивления должно быть уделено особое внимание. [15]