Влияние - обратный ток
Cтраница 1
Влияние температурно-зависимых обратных токов обоих транзисторов даже в неблагоприятных случаях оказывается такого же порядка и им также можно пренебречь. [1]
Влияние обратного тока эмиттерного перехода / эо сказывается при инверсном включении транзистора. Такое включение используется в преобразователях и в некоторых импульсных схемах. [2]
He учитывалось также влияние обратного тока коллектора, который для схем рис. 5.2 полностью исключает необходимость в пусковом резисторе при использовании германиевых транзисторов, однако его явно недостаточно для возбуждения кремниевых транзисторов. [3]
Рассмотрим теперь коротко влияние обратного тока управляющего электрода на ВАХ р-п-р-п структуры в закрытом состоянии. Влияние этого тока, очевидно, противоположно рассмотренному выше влиянию прямого тока / с. Для оценки влияния обратного тока / о на ВАХ р-п-р-п структуры достаточно в (7.8) - (7.11) знак, стоящий перед слагаемыми, содержащими IG, изменить на противоположный. При обратном токе / о возрастают ток и напряжение переключения р-п-р-п структуры. Значение суммы дифференциальных коэффициентов передачи тока составных транзисторов, при котором происходит переключение структуры в открытое состояние, также возрастает. [4]
 |
Принципиальная схема направленного реле сопротивления защиты ДЗ-2. [5] |
Вместе с тем снижается влияние обратных токов диодов, поскольку они протекают только по обмоткам питающих трансформаторов и не создают сколько-нибудь существенной потери напряжения. [6]
 |
Полуавтомат ПКН-1. [7] |
Размеры намагничивающего контура обеспечивают исключение влияния обратного тока на V качество намагничивания роликов. [8]
При высоких рабочих температурах может сказываться влияние обратного тока стокового перехода / со, который увеличивается с ростом температуры, суммируясь с током канала. [9]
При некоторых точных измерениях необходимо учитывать и влияние обратных токов. Графо-аналитический способ учета влияния обратных токов для двухполупериодной мостовой выпрямительной схемы показан на фиг. Рассмотрим ветвь ( а-б-в-г) прямого тока для одного полупериода приложенного к схеме переменного напряжения U. [10]
Таким образом, включение управляющего перехода в значительной степени исключает влияние обратного тока, поэтому линейность шкалы управляемого амплитудного преобразователя существенно лучше, чем при использовании неуправляемых схем выпрямления. [11]
Как видно из формулы (3.9), в схеме с ОЭ влияние обратного тока коллекторного перехода увеличивается в ( 1 / 3) раз по отношению к схеме ОБ, так как любые изменения потока носителей заряда в базе независимо от их природы усиливаются в цепи коллектора. Именно поэтому действие неуправляемого тока / к g0 ( 1 В) / g0 приходится учитывать у германиевых транзисторов даже при нормальных условиях. Вместе с тем быстрое нарастание этой составляющей при повышении температуры может выключить к. В этом - одна из причин, ограничивающих дот пустимые температуры германиевых транзисторов ( до ( 60 - 75) С) и, конечно, сужающих область их применения. Предельные температуры кремниевых транзисторов устанавливаются более высокими ( до ( 120 - 150) С), как и для кремниевых диодов. [12]
Как показывают расчеты, в типовых режимах работы тиристоров учет влияния обратного тока на перегрев кристалла приводит к необходимости снижения / Пр имп макс всего лишь на несколько процентов. [13]
Отметим, что при выполнении проверочного расчета графическим способом автоматически учитывается влияние обратных токов и прямого сопротивления вентилей на выходную характеристику схемы с искусственной нелинейностью. [14]
Таким образом, до наступления насыщения дросселя, находящегося в рабочем полупериоде, влияние обратных токов вентилей пренебрежимо мало. [15]
Страницы: 1 2 3