Влияние - краевой эффект
Cтраница 1
Влияние краевого эффекта на адгезионную прочность может быть оценено аналитическим путем при адгезии пленок поливинил-бутираля к стеклу. [1]
 |
Схемы измерения толщины покрытия отрывным ( а и индукционным. [2] |
Компенсацию влияния краевого эффекта ( явления искажения информативного параметра входного сигнала на краях покрытого участка или на участках изменения формы поверхности [132]) или магнитных свойств при использовании магнитных методов производят установкой нуля прибора для непокрытой детали, подобной контролируемой. [3]
Для снижения влияния краевого эффекта использовался отжиг модели и принимались поправки, позволяющие учесть собственные напряжения модели. [4]
 |
Схема измерений удельного сопротивления четырехзондовым методом.| Форма образцов при измерениях методом Ван-дер - Пауве. [5] |
Для снижения v влияния краевого эффекта при измерениях по образующей, вдоль слитка делают так называемую измерительную дорожку. Эта операция сводится к шлифованию части цилиндрической поверхности слитка с тем, чтобы зонды располагались на плоской поверхности. [6]
При постоянном напряжении влияние краевого эффекта сказывается слабее, чем при переменном, а потому начало ионизации необязательно связано с краем обкладки и чаще наблюдается в каком-то участке под обкладками. При этом резкая зависимость Еп от толщины диэлектрика не должна проявляться. [7]
 |
Влияние размеров площадки измерения при толщине покрытия. / - 24. 2 - 13. 3 - 7 мкм. [8] |
Частным случаем исследования влияния краевого эффекта является определение минимальной площадки измерения. [9]
При измерениях имеет место влияние краевого эффекта. Если зонды относительно границы образца расположены параллельно н отношение расстояния от границы /, к расстоянию между зондами I равно нулю, то ошибка достигает 50 %, при ljli до 15 %, а при J / fe: 3 ошибка незначительна или отсутствует. При перпендикулярном расположении зондов, если lj / l f l - ошибки измерения составляют 5 - 30 %, при 1 11: 2 они малы. Конструкция прибора имеет много вариантов, вплоть до непрерывной записи распределения сопротивления вдоль образца. Метод применяется для измерения о на слитках и на тонких пластинках. На образцах в форме параллелепипеда чаще применяется 2-зондовый метод. Иногда комбинируют оба метода. Для измерения Q высокоомных образцов Si и SiC применяют электрометрич. Фишером и др. ( см. Лит. [11]
При измерениях имеет место влияние краевого эффекта. Если зонды относительно границы образца расположены параллельно и отношение расстояния от границы 2, к расстоянию между зондами I равно нулю, то ошибка достигает 50 %, при / / 71 до 15 %, а при / / fe3 ошибка незначительна или отсутствует. Конструкция прибора имеет много вариантов, вплоть до непрерывной записи распределения сопротивления вдоль образца. Метод применяется для измерения Q на слитках и на тонких пластинках. На образцах в форме параллелепипеда чаще применяется 2-зондовый метод. Иногда комбинируют оба метода. Для измерения Q высокоомных образцов Si и SiC применяют электрометрич. Фишером и др. ( см. Лит. [13]
 |
Двухслойная модель волнистой поверхностью. [14] |
Такая конструкция позволяет исключить влияние краевого эффекта. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5