Влияние - граница - зерно - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если ты закладываешь чушь в компьютер, ничего кроме чуши он обратно не выдаст. Но эта чушь, пройдя через довольно дорогую машину, некоим образом облагораживается, и никто не решается критиковать ее. Законы Мерфи (еще...)

Влияние - граница - зерно

Cтраница 1


1 Температурные зависимости холловской подвижности поликристаллической пленки CdS, полученной методом термического испарения в вакууме, при трех значениях приложенного к пленке напряжения Vp.| Темновые температурные зависимости концентрации и подвижности электронов в поликристаллических пленках CdS, полученных методом пиролиза, после отжига в вакууме при 120 С в течение 18 ч. Для инициирования адсорбции кислорода пленки предварительно отжигались на воздухе при 100 С в течение 18 ч [ Wu С., Bube R. H. / / J. Appl. Phys., 1974, vol. 45 ]. [1]

Влияние границ зерен на подвижность электронов в пленке Si, полученной термическим испарением в вакууме, показано на рис. 6.14, где приведена также зависимость удельного сопротивления, измеренного в плоскости, параллельной поверхности пленки Si, от концентрации носителей заряда. Только при высоких концентрациях подвижность носителей в этих пленках приближается к значениям, характерным для массивных материалов. Холловская подвижность проходит через минимум ( - 1 см - В 1-с 1) при уровне легирования, немного превышающем Ю18 см 3, при котором высота барьера Vj максимальна.  [2]

Влияние границ зерен на свойства металла в целом сказывается прежде всего в том, что эти границы являются поверхностями раздела зерен, в которых частицы ( атомы) самого металла уже энергетически отличны от атомов, расположенных в решетке внутри зерна. Полагают, что частицы между зернами обладают повышенной энергией, представляющей поверхностную энергию, которая играет большую роль в явлениях, происходящих в различных телах и, в том числе, в металлах и их сплавах. Таким образом, даже если представить себе абсолютно чистый металл, то и в нем должна существовать прослойка между зернами в виде неопределенно расположенных атомов, которую некоторые рассматривают как аморфную пленку металла и которая может влиять на свойства всего куска металла в целом.  [3]

Влияние границ зерен особенно велико при низких температурах диффузии. При высоких температурах ( 0 85 - 0 95ТПЛ) роль границ в общем диффузионном потоке сравнительно невелика.  [4]

Влиянию границ зерен на свойства металлов и сплавов посвящен ряд известных работ и обзоров [1-4], поэтому достаточно отметить, что свойства материала определяются не только размером зерен, но и их формой, распределением по размерам, ориентацией и распределением ориентации ( в том - числе взаимной разориентацией зерен), содержанием остаточных деформированных зерен.  [5]

При оценке влияния границ зерен на возникновение и развитие деформации поликристаллической структуры технических металлов следует отметить важную роль свободной поверхности зерен, расположенных на поверхности образца. Эта поверхность оказывает заметное влияние не только на деформацию металла, но также и на процесс рекристаллизации.  [6]

Об отсутствии влияния границ зерен на насыщение водородом никеля, молибдена и ниобия указывается в работе С.  [7]

На этапе развитой деформации влияние границ зерен, согласно [252], ослабевает. Деформационное упрочнение в этом случае начинает определяться процессами внутри зерна, поэтому интенсивности упрочнения поли - и монокристаллов становятся почти равными. Здесь вклад границ зерен выражается только в более высоком уровне напряжения течения при одинаковых деформациях. Тогда можно ожидать, что после удлинения в несколько процентов кривые напряжение - деформация для монокристаллов, ориентированных для множественного скольжения, и соответствующие кривые для поликристаллов должны идти параллельно.  [8]

Существуют дислокационные теории, объясняющие влияние границ зерен с учетом угла разориентации. Старая теория Билби, согласно которой между зернами существует слой аморфного сильно переохлажденного материала, много лет считалась неверной. Однако в последнее время она вновь выдвигается ( например, Моттом), конечно, в модифицированном виде.  [9]

Такой подход может быть использован без особых оговорок только для таких свойств, влияние границ зерен на которые несущественно. Хорошая сходимость результатов подсчетов упругих свойств с опытными данными указывает на малое влияние границ зерен на упругие характеристики металлов, в то время как при переходе к пластическим деформациям приходится считаться с сильным влиянием границ зерен.  [10]

Чалмерс [132] исследовал образцы, состоящие из двух кристаллов, с целью изучения влияния границ зерен на особенности деформации поликристаллических образцов из технических металлов.  [11]

Естественно, эти выводы справедливы только при достаточно больших пластических деформациях тел - порядка нескольких процентов, при которых может проявиться уравнивающее влияние границ зерен. Это условие выполняется в том случае, когда предельное состояние неустойчивости пластической деформации достигается при постоянном увеличении нагрузки. С другой стороны, при динамических нагрузках, когда происходит развитие дефекта в наиболее нагруженном зерне, а более удаленные зерна находятся в упругом состоянии, условия пластической деформации оказываются совершенно другими, и наличие границ зерен оказывает противоположное влияние.  [12]

Причины отклонения в свойствах текстурированных поликристаллов по сравнению с монокристаллами следует искать прежде всего в несовершенной или ограниченной ориентации зерен, во взаимодействии каждого кристаллита с соседними, во влиянии границ зерен, в искажении кристаллической ре-шетки.  [13]

А / см2) обусловлен рекомбинацией носителей на границах зерен. Однако под влиянием границ зерен фототок уменьшается незначительно. Высокие значения напряжения холостого хода солнечных элементов со структурой металл - оксид - полупроводник на основе GaAsi xPx - я - GaAs - n - GaAs обеспечивает большая высота барьера. Согласно результатам измерений вольт-фарадных характери-ристик, ФБ1 2 эВ, что на 0 2 эВ больше высоты барьера у элементов с такой же структурой, но на основе лишь я - GaAs. При наличии слоя GaAsi xPx плотность обратного тока насыщения уменьшается на порядок величины.  [14]

Эти элементы имеют относительно большую площадь ( 8 3 см2) и состоят из фотоактивного слоя р-типа толщиной 25 мкм, поверхностного слоя д - типа толщиной 0 5 мкм и просветляющего покрытия из SiO. Установлено, что влияние границ зерен на фото-ток не столь значительно.  [15]



Страницы:      1    2    3