Изменение - режим - транзистор
Cтраница 1
Изменение режима транзисторов происходит за счет того, что конденсаторы Ct и С, заряженные в первый момент работы схемы до напряжений urol и исо2 и сохранившие эти значения за время регенеративного процесса неизменными, будут изменять свое состояние, при этом один из них будет продолжать заряжаться по той же цепи, а другой - перезаряжаться. [1]
Изменение режима транзисторов происходит за счет того, что конденсаторы С; и С -, заряженные в первый момент работы схемы до напряжений ист и С02 и сохранившие эти значения за время регенеративного процесса неизменными, будут изменять свое состояние, при этом один из них будет продолжать заряжаться по той же цепи, а другой - перезаряжаться. [2]
 |
Усилитель с АРУ и АРПП, осуществляемой за счет обратной связи. [3] |
При изменении режима транзистора Тг ( смещения в цепи базы) изменяются его входная и выходная проводимости, а следовательно, и полоса пропускания первых двух каскадов. Однако это изменение мало и по сравнению с действием ОС не является определяющим фактором для усилителя в целом. [4]
Для уменьшения изменения режима транзистора применяют различные способы стабилизации рабочей точки. [5]
 |
Блок схемы измерений a, f, и Г ( СК в приборе Л2 - 9. а - измерение fa. 6 - измерение f2, в-измерение г Ск. [6] |
В приборе предусматривается возможность изменения режима транзистора по постоянному току: напряжения на коллекторе от 2 до 100 в и тока эмиттера от 0 1 до 20 ма. [7]
 |
Схема АРУ с задержкой. [8] |
В транзисторных приемниках АРУ осуществляется в основном изменением режима транзистора по постоянному току или изменением величины обратно связи по переменному току. [9]
Схемы автоматической регулировки усиления ( АРУ), основанные на изменении режима транзисторов по постоянному току, называемые схемами непосредственного регулирования, получили весьма широкое распро странение. Известные методы расчета таких схем в одних случаях [3, 4, 5] предполагают наличие большого числа экспериментальных зависимостей, обычно отсутствующих в справочной литературе. В других случаях [6] методика расчета оказывается громоздкой. [10]
Транзистор Т %, на базу которого через вывод 4 подают управляющее напряжение, используют для изменения режима транзистора У. [11]
Обычно это соотношение вытекает из расчета каскада по постоянному току, и незначительного изменения его можно добиться путем изменения режима транзистора. Следует заметить, что последовательная ООС увеличивает входное сопротивление каскада. Это значит, что при введении ее в каскаде, следующем за каскадом с высоким выходным сопротивлением, снижение Ки усилителя за счет местной ООС частично компенсируется увеличением его за счет улучшения условий согласования. Учитывая сказанное и то, что даже при частотах сопряжения, близких к 400 гц, емкость Сэ обычно превосходит 1 мкф, весьма желательно в качестве формирующего элемента в критической низкочастотной области ЛАХ применить эмиттерную емкость. [12]
 |
Схемы транзисторных дифференциальных каскадов. [13] |
Так как точный подбор транзисторов в пары невозможен, полезно предусмотреть в схеме регулировочные элементы, позволяющие за счет изменения режимов транзисторов установить наилучшие условия компенсации дрейфа. [14]
 |
Схема АРУ изменением величины межкаскадных. [15] |
Страницы: 1 2