Cтраница 5
![]() |
Влияние примесей на электропроводность четырехвалентного полупроводникового элемента. [61] |
Аналогичное влияние на повышение проводимости оказывают дефекты кристаллической структуры. В основе этого явления лежит стехиометрическое несоответствие состава реального кристалла и его идеальной формулы. Дефицит атомов одного из элементов компенсируется избытком атомов другого, которые в данном случае играют роль добавки. Например, в кристаллической структуре галенита PbS избыточные атомы РЬ служат донорами, а недостающие атомы S - акцепторами. [62]
Аналогичное влияние оказывает межмолекулярное взаимодействие и на способность полимеров к кристаллизации. [63]