Структура - замещение
Cтраница 2
 |
Зависимость удель - [ IMAGE ] Термо - э. д. с. системы ной электропроводности от сое - GaAs - Ga0 667 0 333Se. [16] |
А В приходится 917 атомов С. В подрешетке А возникнет структура замещения, в подрешетке же С - структура деления: на 917 атомов С придутся 83 вакансии. [17]
На ход зависимости неполупроводниковых свойств ( например, в системе германий - фосфор) от мольной доли В появление в решетке А неэлектронного аналога В отражается нерезко. Но полупроводниковые характеристики в этом случае претерпевают серьезнейшие изменения: например, вместо плавного изменения ширины запрещенной зоны А. ЕА в сторону увеличения или уменьшения в зависимости от величины ДЕ в наблюдается совокупность изменений, позволяющих различить три стадии образования структуры замещения или три случая твердого раствора замещения: стадия слабого легирования; стадия умеренного ( промежуточного) легирования и, наконец, стадия сильного легирования. [18]
Допустим, что соединение АС кристаллизуется в структуре, например, типа сфалерита или каменной соли, где в каждой из под-решеток А и С число узлов отвечает числу атомов и в принципе может возникнуть бездефектный кристалл. А - - В приходится 917 атомов С. В подрешетке А возникнет структура замещения, в подрешетке же С - структура деления: на 917 атомов С придутся 83 вакансии. [19]
При 25 С изотерма имеет более сложную и необъяснимую без добавочных предположений форму: в области разбавленных растворов эндотермичность растворения, напротив, убывает и вблизи т 0 2 наблюдается экстремум. После этого участок до то я 1 0 почти горизонтален, а далее, вплоть до насыщения, эндотермичность плавно увеличивается, как и при 10 С. При таком допущении следует полагать, что в ацетоне условия для образования термодинамических эквивалентных структур замещения по стерическим или иным причинам менее благоприятны, чем в метаноле. Но поведение ацетоновых растворов в зоне больших разбавлений требует особых объяснений. [20]
При 25е С изотерма имеет более сложную и необъяснимую без добавочных предположений форму: в области разбавленных растворов эндотермичность растворения, напротив, убывает и вблизи т 0 2 наблюдается экстремум. После этого участок до т 1 0 почти горизонтален, а далее, вплоть до насыщения, эндотермичность плавно увеличивается, как и при 10 С. При таком допущении следует полагать, что в ацетоне условия для образования термодинамических эквивалентных структур замещения по стерическим или иным причинам менее благоприятны, чем в метаноле. Но поведение ацетоновых растворов в зоне больших разбавлений требует особых объяснений. [21]
Предположение об образовании структур внедрения в результате размещения атомов бора в междуузлиях, выдвигаемое в качестве одного из объяснений постоянства периода решетки, явилось бы весьма простым и само собой разумеющимся, если бы не то обстоятельство, что в кристаллах карборунда должна превалировать ковалентная связь. Однако мы не располагаем еще физическим механизмом, который позволил бы объяснить увеличение шлифспособности механическим размещением бора между узлами. Другие экспериментальные данные также не подтверждают этого предположения. Соотношение элементов в этих кристаллах больше соответствует предположению об образовании структур замещения. [22]
Как видно из приведенных данных, система бор-углерод - кремний представляет весьма большой интерес, поскольку к этой системе относятся, з частности, два абразивных вещества, нашедшие за последние годы весьма широкое применение: карбид кремния и карбид бора. Между тем можно было ожидать, что в этой системе имеется ряд составов, представляющих существенный теоретический и практический интерес. Это предположение вытекает из показанной в работах нашей лаборатории возможности замены в кристаллических решетках с атомной структурой атомов одного сорта на атомы другого сорта. Интересно было установить возможность замены атомов кремния на атомы бора с образованием структур замещения. Теоретическая и экспериментальная части этого исследования не доведены до конца, но тем не менее позволяют сделать ряд выводов. [23]
Такая картина, однако, лишь в некотором приближении соответствует действительному кристаллу. Одним из возможных отклонений от идеальной структуры являются смешанные кристаллы ( см. стр. Среди них смешанные кристаллы замещения относительно мало отличаются от идеального кристалла. Во всяком случае, каждая система точек в них заполнена, хотя при этом по крайней мере одна система точек занята атомами или ионами двух ( или большего количества) сортов в большей или меньшей степени статистически. Если замещающие друг друга частицы существенно отличаются по объему, то в непосредственной близости расположение атомов искажается, а в связи с этим происходит отклонение от строгой периодичности. Более значительные отклонения от идеального кристалла присущи смешанным кристаллам добавления и смешанным кристаллам вычитания, поскольку в таких случаях определенные места в кристаллической структуре заняты в одних участках элементарной ячейки и свободны в других; даже если этим пренебречь, останутся искажения, которые здесь должны быть более существенными, чем в структурах замещения. [24]
Спирты менее полярны, чем вода. В водных растворах они являются поверхностно-активными веществами, обладают положительной адсорбцией и снижают при растворении поверхностное натяжение воды. В молекулах спиртов присутствуют полярная и неполярная группы. Так, например, с ростом длины углеводородного радикала уменьшается роль полярной группы. Вместе с этим из-за увеличения размеров молекул начинают приобретать большее значение стерические факторы. Неполярные группы спиртов размещаются в пространственной сетке воды преимущественно с образованием структур внедрения, при котором заполняются пустоты каркаса воды. Аналогично, по-видимому, ведут себя и неполярные группы поверхностно-активного вещества БНСН. Полярные группы могут входить в сетку водородных связей каркаса, образуя структуры замещения. [25]
Страницы: 1 2