Структура - зона
Cтраница 4
Такая зависимость объясняется особой структурой зоны проводимости некоторых полупроводников. [46]
 |
Указатели заполнения рабочего поля сегмента. [47] |
На рис. 4.22 показана структура зоны с заголовком k - u программы. [48]
 |
Указатели заполнения рабочего поля сегмента. [49] |
На рис. 4.22 показана структура зоны с заголовком k - к программы. [50]
На рис. 3.32 показана структура зоны проводимости арсенида галлия. [51]
На рис. 107 приведена структура зоны вытеснения. Она зависит от положения на плоскости ( х, t) оси эксплуатационных скважин х L пл / 1 - Если L /, то до подхода к добывающим скважинам тылы оторочек в пласте успеют пересечься. [52]
На рис. 3.24 приведена структура зоны вытеснения, дан профиль распределения концентраций третьего и второго компонентов по пласту в некоторый момент после окончания закачки оторочки. Ось х О соответствует нагнетательным скважинам, ось х - 1 - добывающим. [53]
 |
Распределение объемных концентраций тяжелого ( сплошная линия и промежуточного ( пунктирная линия псевдокомпонентов по пласту в ходе вытеснения. [54] |
На рис. 2.17 приведена структура зоны вытеснения, дан профиль распределения концентраций третьего и второго компонентов по пласту в некоторый момент после окончания закачки оторочки. Ось х 0 соответствует нагнетательным скважинам, ось х - 1 - добывающим. Вслед за газом пластового состава В на добывающие скважины поступает конденсатный вал, компонентный состав которого соответствует точке F. [55]
В работах [24, 32, 36] рассмотрены структуры зон слоистых соединений - GaS и GaSe. При этом использованы известные экспериментальные данные оптических, фотоэлектрических, магнетооптических и других свойств рассматриваемых кристаллов. [56]
В работах [24, 32, 36] рассмотрены структуры зон слоистых соединений - GaS и GaSe. В основу расчета структуры зон положена двухмерная модель зон одного четырехкратного слоя типа S-Ga-Ga-S. При этом использованы известные экспериментальные данные оптических, фотоэлектрических, магнетооптических и других свойств рассматриваемых кристаллов. [57]
 |
Структура зон энергии некоторых соединений АПВ. теллурида. [58] |
На рис. 44 представлена структура зон энергии теллурида кадмия и селенида цинка, рассчитанная различными методами. Экстремумы зон находятся в точке Г, в которой валентная зона дважды вырождена, спин-орбитальное расщепление определяет положение третьей валентной зоны. В решетке вюрцита гексагональное кристаллическое поле снимает это вырождение. [59]
В результате происходит изменение структуры зоны сжатия в заряде ВВ, и в некоторой точке F детонация выходит на нормальный режим. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5