Cтраница 1
Структуры класса В в тех случаях, где это возможно или удобно, именуют традиционными названиями. Так как большинство полицикли-ческих структур таких названий не имеет, приходится давать им систематические названия. Этого достигают двумя способами: 1) сочетанием названий более простых структур, которые можно мысленно выделить в называемой структуре; 2) для гетероциклических структур при помощи а-системы. В Ring Index последний способ применяют лишь тогда, когда это дает существенное упрощение названий. [1]
Структуры класса All нумеруют с учетом старшинства гетероатомов. Старшим считается элемент, стоящий в периодической системе правее и выше, что приводит к следующему ряду гетероатомов: О, S, Se, Те, N, Р, As, Sb, Sn, Pb, Hg. Наличие гетероатомов обозначается по а-системе, размеры кольца указываются суффиксом ( см. обзор номенклатуры гетероциклических соединений, стр. [2]
Структуры класса CI называют по системе Байера, а к гетероциклическим структурам этого класса применяют а-систему. [3]
Структуры класса CIII ( сложные мостиковые системы) называют по расширенной для трех - и четырехциклических структур системе Байера. [4]
Структуры класса DI ( простые спиро-системы) называют, указывая название обычного ( без спиро-структуры) углеводорода с тем же числом атомов углерода, число спироатомов ( префиксом) и, в скобках, число атомов, заключенных между спироатомами. [5]
Пусть структура класса линейных решающих правил задается по числу используемых при распознавании признаков ( см. гл. [6]
О структуре класса Орлича. [7]
Относительная стабильность структуры класса В зависит в первую очередь не от результирующего распределения электрического заряда в двух реагентах, а скорее от некоторых других факторов, которые мы должны рассмотреть более подробно. [8]
ПАРАЛЛЕЛЬНО-ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНАЯ СТРУКТУРА, структура класса П, П - с х е м a ( parallel-serial structure; structure parallele-serie; Parallel-Serien-Struktur), - структура релейного устройства, в к-рой имеются только двухполюсные параллельные или последовательные соединения релейных цепей. [9]
Ни один из этих примеров структур класса В не являгтся вполне типичным, так как, например, в структуре II § 8.1. осколок Вг уже оторван, а в структуре XII § 8.2 уже образовались две связи между реагентами. Но в большинстве наиболее характерных примеров таких отдельных осколков нет и имеется только одна новая связь. Действительно, если бы был известен истинный механизм реакции озонирования, то структуры класса В, участвующие в активном комплексе, принадлежали бы к этому более обычному типу. [10]
Рассмотрим этот критерий относительно стабильности структур класса В более детально. Можно полагать, что такая структура возникает в две стадии, которые могут быть как одновременными, так и последовательными. Вопрос о том, будут ли эти две стадии одновременными или последовательными, для нас не существенен, поскольку, как было указано выше, мы в первую очередь интересуемся не процессом образования структуры, а только ее стабильностью после возникновения. В первой из этих стадий две реагирующие молекулы поляризуют друг друга таким образом, что возникают электронные конфигурации, необходимые для образования новой связи. Это означает, что у реакционного центра электрофильного реагента возникает незаполненная валентная оболочка ( обычно секстет электронов или совершенно пустая валентная оболочка иона водорода), способная принять неподеленную пару электронов; у реакционного центра радикального реагента появляется - одиночный неспаренный электрон, а у реакционного центра нуклеофильного реагента возникает неподеленная пара электронов. Во второй стадии в известной степени действительно образуется связь за счет двух электронов совместного владения, появившихся в первой стадии. [11]
Это определение неявно основано на учете только структур класса А. Но, как будет видно из дальнейшего изложения в этом параграфе, оно обычно равноценно принятому здесь. [12]
Поэтому если бы в активном комплексе были представлены только структуры класса В, то наиболее реакционными центрами электрофиль-ного, радикального или нуклеофильного реагента были бы пригодные положения, в которых легче всего могут быть созданы соответственно незаполненная валентная оболочка описанного типа, один неспаренный электрон или неподеленная пара электронов. [13]
При успешном выполнении функция возвращает значение указанного слова из структуры класса окна или нулевое значение при ошибке. [14]
С - структуры обычно называют топологическими структурами, а структуры класса Сг, г 1, - гладкими или дифференцируемыми. [15]