Cтраница 1
Структура конденсатов, зависящая в основном от температуры конденсации, определенным образом связана с работой выхода электронов. Нами была изучена зависимость работы выхода медных покрытий от температуры подложки. Непосредственно перед измерениями механически удаляли окис-ные пленки. В области крупнозернистой структуры наблюдается повышение работы выхода. Принято считать, что увеличение работы выхода обусловлено упорядочением структуры. [1]
Согласно Бауэру [17], структура конденсатов солей ( LiF, NaF, CaF2, Вар2 и MgF2) на слюде в значительной степени определяется температурой конденсации и углом наклона молекулярного луча к подложке ср. [2]
В работе [114] изучена структура конденсатов хрома толщиной 5 - 30 мкм, полученных при температурах от 250 до 900 С в вакууме 5 - Ю 3 Па со скоростью конденсации 0 04 - 0 15 мкм / мин. При температуре конденсации 880 С зерна хромового осадка имеют непрерывные четкие границы, во многих зернах дислокации не наблюдаются. Сложную внутреннюю структуру имеет осадок хрома при температуре конденсации ниже 400 С: границы зерен искривлены, зачастую прерывисты; внутри зерен видны блоки и большое число дислокаций, плотность которых - 7 - 1010 1 / см2, а размер бездислокационных областей - 40 нм. Такие конденсаты имеют сложное строение зерен и большое количество дефектов структуры. [3]
Влияние адсорбированных газов на структуру конденсатов детальнее всего изучено при росте эпитаксиальных пленок металлов с кубической гранецентрированной решеткой на каменной соли. [4]
С ростом давления и температуры структура конденсата упрощается; молекулы или молекулярные комплексы разрушаются и конденсат переходит в чисто атомарное состояние. Электронные оболочки атомов перестраиваются, происходит отрыв наружных электронов, определяющих химическую индивидуальность вещества. Проходя через серию структурных превращений, конденсат приобретает в конечном счете при переходе границы 2 ( рис. 1) единую для всех веществ объемноцентрированную кубическую ( о. [5]
Томас и Франкомб [179], изучая структуру конденсатов кремния, образующихся в вакууме 10 - 10 мм рт. ст., установили, что при низких температурах ( tK 600 С) дефекты образуются даже при отсутствии загрязнений. [6]
Если при кристаллизации из паровой фазы в вакууме структура конденсатов на изотропных подложках определяется главным образом скоростью и температурой осаждения, то в других случаях роста ( химический рост, в том числе окисление, электроосаждение, кристаллизация из расплава или раствора) значительно возрастает роль других условий кристаллизации. [7]
При скоростях роста более 1 5 мк / мин общее совершенство структуры конденсата убывает, о чем свидетельствует размытие кикучи-лнний на электронограммах. Возможно, что при этом возрастает плотность точечных дефектов. [8]
Кроме того, необходимо учесть N3s - резонанс, вакуумное лл-взаимодействие и, наконец, взаимодействие л - конденсата с конденсатом заряженных мезонов, которое также существенно влияет на структуру конденсатов. [9]
Как мы увидим далее, необходимость нагрева подложки для увеличения степени ориентировки наиболее отчетливо проявляется при эпитаксии металлов и солей. Это не означает, что в других случаях эпитаксии структура конденсата не зависит от температуры подложки. [10]
Как уже было показано, при конденсации пленок РЬТе на NaCl ориентированный рост происходит в двух температурных интервалах. Между этими интервалами условия ориентированного роста пленки ухудшаются. Установлено, что обогащение пленки свинцом и резкое уменьшение подвижности носителей ( в 5 - 10 раз) происходит в том же интервале температур, где ухудшается структура конденсата и сменяется тип зародышей. [11]
В большинстве случаев конденсат представляет собой поликристаллическое твердое тело с плотностью, существенно меньшей по сравнению с плотностью собственно кристаллов, что говорит о его рыхлой структуре. Причем, отмечается закономерность: в случае конденсации газа в виде тонких слоев при большом переохлаждении ( например для С02 при Т 30н - 40 К, для N2 и Аг при Т 6 - н9К) конденсат имеет аморфную или мелкозернистую структуру с размером зерна 0 01 - 0 1 микрона. Кристаллики в слое располагаются хаотично, что приводит к появлению пустот между ними. Кроме того, дефекты в самих кристаллах также способствуют появлению мелких пор. Увеличение температуры конденсации или последующий нагрев слоя конденсата приводит к росту размеров зерен на порядок и более, уменьшению количества дефектов в кристаллах. В результате такой рекристаллизации структура конденсата становится более крупнозернистой, а размеры пор между кристалликами также увеличиваются. [12]