Структура - материал
Cтраница 3
Структура материала регулярна и все его компоненты деформируются линейно. [31]
Структура материала на основе жидких олигомеров формируется на стадии смешения компонентов и фиксируется в процессе их отверждения. Для получения полимерного покрытия с заданными свойствами необходимо уметь оценивать вклад каждого из компонентов в процессе структурообразования, в эффективность межфаэ-ных и межмолекулярных взаимодействий. [32]
Структура материала сказывается не только в области пластического течения, но и в упругой области. Кроме того, она может сформироваться в ходе деформации. Наличие структуры вызывает неоднородное распределение напряжений. Предположим, что справедливо и обратное утверждение: неоднородное распределение ua - иряжений в бесструктурном материале ( например, в зерне) приводит к образованию в нем. При этом подобласти могут испытывать поворот и трансляцию, и можно ввести новые дефекты, ответственные за движение подобластей. [33]
Структура материала существенно влияет на характер осциллограмм прозвучивания. В этом случае очень трудно, а иногда и невозможно обнаружить на экране ЭЛТ сигналы от дефектов. [34]
 |
Физико-механические свойства хромомолибденовых сталей. [35] |
Структура материалов, легированных молибденом, более однородна и представляет собой в спеченном состоянии легированный перлит с карбидами. Объемная доля карбидов больше, а их средний размер значительно меньше, чем в хромистых сталях. [36]
Структура материала мембран, применяемых для микрофильтрации, представляет собой пористое тело с прямыми цилиндрическими капиллярами, пронизывающими всю толщу мембраны. В последнее время широкое распространение получили изотропные ( ядерные) мембраны. [37]
Структура материала ФС, характеризуемая типом решетки для монокристаллических пленок, размером и ориентацией зерен ( кристаллитов) для поликристаллических пленок и отсутствием упорядочности для аморфных пленок. [38]
Структура эвтектического материала состоит из кристаллов твердых прочных химических соединений в виде стержней или пластин, распределенных в твердом растворе. [39]
Структура материала подложки и состояние ее поверхности влияют на параметры пленочных элементов. Большая шероховатость поверхности подложки снижает надежность тонкопленочных резисторов и конденсаторов, так как микронеровности уменьшают толщину резистивных и диэлектрических пленок. При толщине пленок около 100 нм допускается высота микронеровностей примерно 25 нм. Следовательно, обработка поверхности подложки для тонкопленочных микросхем должна соответствовать 14-му классу чистоты. Толстые пленки имеют толщину 10 - 50 мкм, поэтому подложки для тостопленочных ИМС могут иметь микронеровности до 1 - 2 мкм, что соответствует 8 - 10-му классам чистоты. Для обеспечения хорошей адгезии пасты к подложке высота микронеровностей должна быть 50 - 200 нм. [40]
 |
Зависимость CI / C / CT от процентного содержания сфероидального графита в чугуне. [41] |
Структуру материала оценивают путем сопоставления данных, полученных на контролируемом изделии и на образцах с известной средней величиной зерна. Для контроля применяют серийные импульсные дефектоскопы, оснащенные калиброванным аттенюатором. [42]
Структуру нанодисперсных материалов определяет Природа химического взаимодействия между образующими ее атомами и молекулами. [43]
 |
Временная зависимость относительной деформации. [44] |
Если структура материала в исходном состоянии и после релаксации одинакова, а форма образца различна, то наблюдаемая остаточная деформация действительно необратима. [45]
Страницы: 1 2 3 4