Cтраница 1
![]() |
Модели структуры As2Se3. а - стекла. б - аморфной пленки. [1] |
Структура пленок зависит от способов получения. В работе [5.10] Захаров и Князев показали, что инфракрасные спектры пленок As2Se3, полученные путем термического напыления, отличаются от таковых, полученных способом лазерного распыления. Это обстоятельство необходимо учитывать при поиске оптимальных регистрирующих материалов. [2]
Структура пленок также оказывает большое влияние на разрешающую способность фоторезистов. С увеличением однородности структуры пленки повышается разрешающая способность всего фотолитографического процесса, воспроизводятся элементы меньших размеров, повышается однородность клина травления по форме и структуре, уменьшается его величина, отсутствуют нарушения в облученных участках пленки. Влияние структуры пленки фоторезиста можно объяснить тем, что с увеличением неоднородности покрытия возрастает светорассеяние и уменьшается разрешающая способность. [3]
Структура пленки сильно влияет на пористость, масло - и лако-емкость, адгезию лакокрасочных покрытий и их блеск, а также на антифрикционные свойства, на способность удерживать смазочные вещества при холодной деформации металлов. [4]
Структура пленок, повидимому, мало зависит от метода их образования ( X или F); если полярная группа находится на самом конце или вблизи от конца молекул, диффракционная картина повторяется через каждые два слоя; если же полярная группа не слишком близка к концу, как, например, в молекулах сложных эфиров, то картина повторяется с каждым новым слоем, как и в кристаллах, полученных обычным путем. Это, повидимому, объясняется обращением целых слоев. [5]
Структура пленки формируется вследствие коагуляции вискозы и образования геля под действием раствора электролитов. Регенерация целлюлозы при взаимодействии эфира с кислотой закрепляет имеющуюся структуру, поэтому пленка, полученная в статических условиях, не обнаруживает значительной разницы в ориентации поверхностных и внутренних слоев пленки. Такая пленка имеет плохие-физико-механические свойства. [6]
Структура пленок характеризуется в значительной степени теми же величинами, что и структура массивных образцов. [7]
Структуры пленок, нанесенных при обычных температурах, в общем случае аналогичны структурам массивных образцов. Если нанесение производится при низких температурах, когда подвижность атомов осаждаемого вещества мала, рост кристаллов заторможен и образующаяся структура может быть похожа на аморфную. Так, для алюминия температура увеличивается от 1 2 до 2 5 К, для галлия - от 1 1 до 8 4 К. Чопра и др. [14] показали, что возрастание критической температуры вольфрамовых пленок может быть обусловлено метастабильной ГЦК-фазой, стабилизированной вследствие малых размеров зерен, с критической температурой около 4 6 К Аморфные пленки на охлаждаемых подложках получались с помощью распыления ионным пучком. [8]
Структура пленки и ее толщина зависят от соотношения скоростей образования центров кристаллизации и роста отдельных кристаллов: если скорость образования центров кристаллизации значительно превышает скорость их роста ( что имеет место при повышенной концентрации окислителей в растворе), то на поверхности быстро образуется тонкий плотный слой окисла и взаимодействие металла со щелочью прекращается. При обратном соотношении скоростей ( что имеет место при повышенной концентрации щелочи в растворе) образуются более толстые, но рыхлые пленки. При этом возможно появление красно-бурого налета гидрата окиси железа, снижающего качество покрытия. [9]
Структура пленок на грани ( 1IT) несколько отличается. При tn 640 С некоторые фигуры роста расположены в двойниковом положении. С понижением tn до 580 С число двойников растет, а их размеры уменьшаются. При еще меньших температурах образуются поликристаллические пленки. [10]
Структура пленок, полученных в трехкомпонентном электролите, несколько отличается от пленок, формированных в сернокислом растворе. В первом случае обнаружено волокнистое строение, наблюдаются незамкнутые поперечные поры. Возможно, что последнее обстоятельство способствует лучшему теплообмену в порах. [11]
Структура пленок рассматривается на трех уровнях: макроструктура ( Рг), т.е. слоистая структура пленки, состоящей из п компонентов; микроструктура ( Р т) - физико-химическая структура компонентов; атомно-молекулярная структура ( Рм) материалов, входящих в состав пленки. На первых двух уровнях структуру характеризуют видом ее элементов, их взаимным расположением и характером связи между ними. Для характеристики структуры на атомно-молекулярном уровне достаточно указать материалы, из которых выполнены компоненты пленки. [12]
Структура пленки рыхлая, некомплектная. [13]
Структура пленок определяется температурой образования пленки. При низких температурах пленка получается аморфной и однородной. Для пассивации лучше использовать аморфные пленки, так как на границе их с подложкой возникают меньшие механические напряжения, чем на границе кристаллической пленки с подложкой. Структура поверхности пленок нитрида кремния зависит от метода получения пленки. [14]
Структура пленок значительно отличается от структуры объемного материала того же состава. Иногда пленки имеют иное кристаллическое строение по сравнению с массивным материалом. Структура пленок может меняться при изменении их толщины. В толстых пленках, осаждаемых на инородную подложку, возрастает плотность дефектов, что приводит к разупорядочению структуры. [15]