Cтраница 1
Структуры полупроводниковых приборов создают путем диффузии атомов акцепторных и донорных примесей в полупроводник, находящийся в твердом состоянии. [1]
Для защиты структур полупроводниковых приборов от внешних воздействий ( температуры, влаги, агрессивных химических сред и др.) служат корпуса приборов. [2]
Для защиты структур полупроводниковых приборов от внешних воздействий ( температуры, влаги, агрессивных химических сред и др.) служат корпуса приборов. Корпуса мощных приборов одновременно обеспечивают необходимые условия отвода теплоты, а корпуса СВЧ диодов - также оптимальное соединение электродов приборов со схемой. [3]
Для защиты структур полупроводниковых приборов от внешних воздействий служат корпусы приборов. Корпусы приборов одновременно обеспечивают необходимые условия отвода тепла, оптимальное соединение электродов приборов со схемой. [4]
Теплофизическая структура полупроводникового прибора может быть представлена в виде многослойной системы разнородных элементов с внутренним источником тепла, расположенным в зоне р-п перехода. [5]
При воздействии различных факторов ( температуры, влаги, химических, механических и других воздействий) параметры, характеристики и некоторые свойства полупроводниковых приборов могут изменяться. Для защиты структур полупроводниковых приборов от внешних воздействий служат корпуса приборов. Корпуса мощных приборов одновременно обеспечивают необходимые условия отвода тепла, а корпуса СВЧ приборов - оптимальное соединение электродов приборов со схемой. [6]
При воздействии различных факторов ( температуры, влаги, химических, механических и других воздействии) параметры, характеристики и некоторые свойства полупроводниковых приборов могут изменяться. Для защиты структур полупроводниковых приборов от внешних воздействий служат корпуса приборов. Корпуса приборов одновременно обеспечивают необходимые условия отвода тепла, оптимальное соединение электродов приборов со схемой. [7]
При воздействии различных факторов ( температуры, влаги, Химических, механических и других воздействий) параметры, характеристики и некоторые свойства полупроводниковых приборов могут изменяться. Для защиты структур полупроводниковых приборов от внешних воздействий служат корпуса приборов. Корпуса мощных приборов одновременно обеспечивают необходимые условия отвода тепла, а корпуса СВЧ приборов - оптимальное соединение электродов приборов со схемой. [8]
Процессы нагревания и охлаждения становятся несимметричными. При этом теплостойкость прибора определяется не интегральной температурой структуры, а температурой горячей точки - локализованного объема выделения энергии в структуре полупроводникового прибора. Тепловая модель в этом режиме усложняется и содержит для прибора 4 - 5 RC-звеньев. [9]