Структура - внешнее
Cтраница 3
Таким образом в результате различных методов механической обработки деталей их поверхности различаются как по структуре внешних слоев, так по степени шероховатости. Совместное влияние этих двух факторов определяет эксплоатационные свойства поверхности. [31]
Докажите на примере малых периодов, что при последовательном заполнении атомных орбиталей появляется периодичность в структуре внешних электронных слоев. [32]
Изменение температуры формы существенно влияет на общую продолжительность процесса охлаждения изделия и на степень ориентации и структуру внешних слоев. [33]
Прежде всего отметим более или менее резкое различие в химических свойствах элементов, определенным образом различающихся структурой внешних электронных слоев. Исходя из структуры внешних слоев, выделим три группы элементов, в пределах каждой из которых наблюдается общность химических свойств. [34]
Химические свойства элементов, как известно из неорганической химии, определяются структурой электронного окружения ядер, и в первую очередь структурой внешних электронных слоев - так называемыми валентными электронами. Вступая в химическую реакцию, элементы в большей или меньшей степени деформируют свои внешние электронные слои: электроны внешних слоев реагирующих элементов взаимодействуют между собой ( перекрываются) и образуют более сложное, в значительной степени общее, электронное облако. [35]
Прежде всего отметим более или менее резкое различие в химических свойствах элементов, определенным образом различающихся структурой внешних электронных слоев. Исходя из структуры внешних слоев, выделим три группы элементов, в пределах каждой из которых наблюдается общность химических свойств. [36]
Первую группу фотохимических процессов принято называть хе-милюминесценцией, так как в этих процессах происходит непосредственное преобразование химической энергии в энергию излучения. Фотохимические процессы второй группы - процессы фотохимического действия излучения - происходят в результате изменения структуры внешних электронных слоев молекул, возбужденных энергией поглощенных фотонов. [37]
 |
Схемы строения атомов гелия, неона и аргона. [38] |
От элемента к элементу количество электронов в атоме возрастает непрерывно, а ряд химических свойств элемента изменяется периодически. Это дает представление как об общем количестве электронных слоев в атоме, так и о структуре внешних слоев. Особая химическая устойчивость инертных газов говорит о том, что структура внешнего электронного слоя атомов их наиболее прочна и устойчива. [39]
Для них характерно заполнение в общем 4 / - оболочки. Поскольку у лантаноидов, представителей шестого периода, происходит заполнение глубоколежащего внутреннего ( п - 2) - слоя, структура внешнего и второго снаружи слоя совершенно идентична. Это является определяющим в химическом поведении лантаноидов, оно объясняет чрезвычайно сильно выраженную аналогию в химических свойствах этих элементов. [40]
Проводимость плазмы достаточна для нивелировки собственных полей пучка. Структура внешних МП обеспечивает замагничивание электронов в плоскости фольги и их фокусировку. Таким образом, ток стержня распределяется через фольгу на ток проводника и ток плазменного канала. [41]
 |
Схема строения атомов некоторых элементов.| Упрощенные схемы строения внешнего электронного слоя атома. [42] |
Можно указать на некоторые положения, которые помогли разобраться в вопросе о том, как распределяются электроны по слоям. При изучении явлений электролиза было установлено, что заряд ( см. § 3 настоящей главы) иона либо равен либо кратен электрону. Это помогло разобраться в структуре внешних электронных слоев. [43]
В противоположность электронам высокой энергии ( порядка нескольких килоэлектроновольт), которые при отражении или просвечивании пробивают несколько сот атомных плоскостей, электроны малых энергий ( 10 - 100 эв) отражаются уже от первого или самых верхних слоев атомов. Поэтому с помощью таких дифракционных фигур можно получить информацию о структуре внешних плоских атомных слоев чистых кристаллов и адсорбционных пленок. Развитие этого метода стало возможным только в последнее десятилетие благодаря овладению техникой сверхглубокого вакуума, который необходим для исследования поверхностей чистых кристаллов. Правда, применение этого метода связано с некоторыми техническими и теоретическими трудностями. [44]
Жур-кова подтверждают известный факт высокой прочности тонких пластинок и нитей. Они показывают, что это повышение прочности не связано с какой-то особой структурой внешних слоев, но что на величину прочности существенное влияние оказывает адсорбированная пленка. [45]
Страницы: 1 2 3 4