Структура - биполярный транзистор
Cтраница 1
Структура биполярного транзистора является системой двух взаимодействующих р-гг-переходов. В нашем случае это эмигтерный л р-и коллекторный р-п - - переходы. В зависимости от полярности напряжений на данных переходах различают четыре режима работы транзистора: насыщение, отсечка, активный нормальный и активный инверсный. [1]
Схематическое изображение структуры биполярных транзисторов с выпрямляющими электрическими переходами в виде р-п-переходов приведено на рис. 4.1. Взаимодействие между p - rt - переходами будет существовать, если толщина области между переходами ( толщина базы) будет много меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда. В этом случае носители заряда, инжектированные через один из p - n - переходов при его смещении в прямом направлении, могут дойти до другого перехода, находящегося под обратным напряжением, и изменить его ток. Таким образом взаимодействие выпрямляющих электрических переходов биполярного транзистора проявляется в том, что ток одного из переходов может управлять током другого перехода. [2]
Схематическое изображение структуры биполярных транзисторов с выпрямляющими электрическими переходами в виде p - n - переходов приведено на рис. 4.1. Взаимодействие между p - n - переходами будет существовать, если толщина области между переходами ( толщина базы) будет много меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда. В этом случае носители заряда, инжектированные через один из p - n - переходов при его смещении в прямом направлении, могут дойти до другого перехода, находящегося под обратным напряжением, и изменить его ток. Таким образом взаимодействие выпрямляющих электрических переходов биполярного транзистора проявляется в том, что ток одного из переходов может управлять током другого перехода. [3]
Главные различия структур биполярных транзисторов полупроводниковых микросхем и дискретных транзисторов заключаются в том, что первые содержат дополнительные области, изолирующие их от общей полупроводниковой подложки, и все выводы от областей транзистора располагаются в одной плоскости на поверхности подложки. Такая структура называется пленарной. [4]
Кроме того, к структурам биполярных транзисторов, как и других элементов микросхем, предъявляется специфическое требование - площадь, занимаемая ими на полупроводниковой подложке, должна быть минимально возможной для повышения плотности упаковки элементов и степени интеграции. В этом состоит важное требование конструктивно-технологической совместимости элементов полупроводниковых микросхем. [5]
Фототранзистор с двумя р-п переходами имеет структуру обычного биполярного транзистора, но только два вывода - коллекторный и эмиттерный. Ток в цепи фототранзистора зависит не только от напряжения между коллектором и эмиттером, но и от его освещенности. [6]
Принцип действия ДШ, интегрированного в структуре биполярного транзистора ( рис. 3.8, а), поясняют диаграммы распределения концентраций неосновных неравновесных носителей заряда в режиме насыщения для обычного транзистора ( рис. 3.8, г) и транзистора с ДШ ( рис. 3.8, д), где ЭП и КП - эмиттерный и коллекторный переходы. В обычном транзисторе в режиме насыщения при достаточно большом токе базы прямое напряжение на коллекторном р-п переходе почти равно ( чуть меньше) прямому напряжению на эмиттерном р-п переходе. [7]
Биполярный фототранзистор - это прибор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора. Корпус прибора имеет всего два вывода: эмиттерный и коллекторный. Световой поток поступает через специальную стеклянную линзу, встроенную в корпус прибора. [8]
 |
Устройство ( а, схема включения ( б и вольт-амперные характеристики ( в биполярного фототранзистора. [9] |
Биполярный фототранзистор - это фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора. [10]
 |
Структура многоэмиттерного транзистора.| Эквивалентная схема ммогоэмиттерного транзистора. [11] |
Указанные противоречия в определенной степени были разрешены путем создания по планарно-эпитаксиальной технологии многоэмиттерной структуры биполярного транзистора. В результате суммарный периметр всех эмиттеров резко возрастает без увеличения их площади, что и позволяет при высоком значении граничной частоты существенно увеличить мощность прибора. [12]
Наличие слаболегированной n - области коллектора приводит к двум дополнительным эффектам, снижающим коэффициент передачи тока, что особенно выражено в высоковольтных структурах биполярного транзистора. Первый эффект, названный по имени исследователя эффектом Кирка, связан с влиянием заряда электронов при протекании больших токов на конфигурацию объемного заряда в транзисторах. Увеличение тока транзистора приводит к расширению ОПЗ в л - слое коллектора при одновременном уменьшении размеров обедненной области вр-базе. [13]
Из рис. 11.11 видно, что совокупность входных ( логических) диодов и диодов смещения, образуя встречно включенные р-п переходы, по существу соответствует структуре биполярного транзистора. Отсюда возникает возможность замены этой совокупности многоэмиттерным транзистором, выполненном в одном изолирующем островке полупроводникового кристалла. [14]
 |
Структура биполярного транзистора со скрытым я - слоем ( а и топология электродов этого транзистора ( б. [15] |
Страницы: 1 2