Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Умный мужчина старается не давать женщине поводов для обид, но умной женщине, для того чтобы обидеться, поводы и не нужны. Законы Мерфи (еще...)

Структура - энергетические уровни

Cтраница 1

Структура энергетических уровней AHTrNd достаточно сложна, и генерация может осуществляться по четырехуровневой схеме на большом числе инфракрасных переходов в диапазоне длин волн от 0 94 до 2 1 мкм. Основной из переходов при комнатной температуре излучает волны длиной 1 064 мкм. Накачка наиболее эффективна при длинах волн 0 81 и 0 75 мкм.  [1]

Структура энергетических уровней иона Nd3 в стекле примерно такая же, как и в кристаллах, но отсутствие упорядоченности структуры матриц приводит к неоднородному уширению линий поглощения и люминесценции. Спектральное положение полос поглощения в стеклах различного состава колеблется в пределах 3 - 5 нм; при этом их относительные интенсивности изменяются довольно значительно.  [2]

Нижние колебательные уровни основного электронного состояния молекул NJ и СО2 ( для простоты здесь не показаны вращательные уровни.  [3]

Структура энергетических уровней молекулы СО2 более сложная, поскольку эта молекула является трехатомной. Здесь мы имеем три невырожденные колебательные моды ( рис. 6.15), а именно: 1) симметричную валентную моду, 2) деформационную моду и 3) асимметричную валентную моду. Поэтому колебания молекулы описываются тремя квантовыми числами п, пч и п3, которые определяют число квантов в каждой колебательной моде.  [4]

Структура эеемановских энергетических уровней электронно-ядерной системы е S / 2 н J Vz - Штриховые линии соответствуют различным видам релаксации.  [5]

Спектр поглощения стекла с неодимом ( два весовых процента.  [6]

Структура энергетических уровней трехвалентных ионов неодима в стекле примерно такая же, как и в кристаллах, однако отсутствие определенной кристаллической структуры приводит к уширению линий поглощения и излучения.  [7]

Структура электронных оболочек атома неодима. а - укрупненная структура оболочек. б - тонкая структура четвертой оболочки Л / ( рядом с индексам оболочки указано количество электронов в ней.  [8]

Поэому структура энергетических уровней электронов 4 / подоболочки, а значит, и структура оптических лазерных переходов ионов неодима не очень зависят от типа матрицы. Рассмотрим подробнее оба эти влияния.  [9]

Однако и структура энергетических уровней ц, в частности, ширина запретной зоны изменяются с температурой, поскольку температура изменяет междуатомные расстояния, от которых зависит расщепление уровней. Для большинства полупроводников ширина запретной зоны изменяется на ( 2 - 4) 10 - 4 эл. В закиси меди охлаждение на 200 С от комнатной температуры до жидкого воздуха смещает спектры поглощения в сторону коротких волн и увеличивает ширину зоны на 0.2 эл. Рассмотрим вопрос о тепловом движении несколько подробнее, чем это было сделано ранее.  [10]

Схема рубинового лазера.  [11]

Описанная схематически структура энергетических уровней ионов хрома в кристаллах рубина и длительное существование возбужденного состояния с энергией Е2 благоприятствовали созданию первого оптического квантового генератора.  [12]

Схема энергетических уровней иона хрома.  [13]

Описанная схематически структура энергетических уровней ионов хрома в кристаллах рубина и длительное существование возбужденного состояния с энергией Е % благоприятствовали созданию первого оптического квантового генератора.  [14]

Энергетическая диаграмма сверхрешетки In, GaxAs - GaSb, As. Заштрихованные области отвечают запрещенным зонам в соответствующих слоях, Es - величина их перекрытия. Рассчитанные энергии мини-зон электронов (., тяжелых дырок ( ЯЯ и легких дырок ( LH показаны справа для параметров, соответствующих полупроводниковому состоянию сверхрешетки с шириной запрещенной зоны Е.  [15]

Страницы:      1    2    3    4