Cтраница 3
Из структуры выражения ( 16 - 42) непосредственно видно уменьшение тока короткого замыкания, вызванное одновременным разрывом поврежденной фазы с одной стороны. [31]
Из структуры выражений (5.1.1) видно, что они распадаются на две независимые группы, каждая со своими коэффициентами пропорциональности С1ош и СПал, численные значения которых зависят в кажг дом конкретном случае от формы тела, содержащего V-образный вырез, характера и уровня приложенных по контуру тела нагрузок. [32]
Из структуры выражения ( f) видно, что введение коэффициента постели приводит к уменьшению прогибов, а также изгибающих моментов пластинки. [33]
Из структуры выражений для резольвенты ( см. -, например, формулы ( 2 11) и (2.12)) следует, что ее фактическое построение представляется малоэффективным. В том случае, когда Я С Яо ( Яо - наименьшее. Тогда ряд (2.2) может оказаться расходящимся. [34]
![]() |
Схематическое изображение процессов диэлектрической релаксации в примесном ( дырочном полупроводнике. [35] |
Из структуры выражения ( 1 - 83) следует важный вывод о двух вариантах механизма релаксации. [36]
Хотя структура выражений ( 1 - 90а) и ( 1 - 906) одинакова ( тем более, что п0 Л / д), но есть и существенная разница, состоящая в том, что дебаевская длина 1D зависит т о л ь к о от свойств полупроводника, тогда как толщина объемного заряда / 0 зависит еще и от приложенного напряжения, которое влияет на значение рх. [37]
Из структуры выражений ( 1 - 16) - ( 1 - 19) следует, что технологический выход продуктов не только последовательных, но и параллельных реакций определяется степенью превращения исходного вещества, а также относительной величиной потерь сырья ( РА, ь РА, з) на первой и третьей стадиях и продуктов ( Рв. [38]
Из структуры выражения ( Ф ] Ф2) ( CB, z) следует также, что повышение стоимости исходного вещества А сопровождается повышением требований к степени его чистоты от примеси вещества В. [39]
Из структуры выражений ( 3.44; 3.48 и 3.4 - 9) видно, что от и / об, как и в § 3, зависят от параметров Др и ир. [40]
Из структуры выражения (8.5.14) очевидно, что моменты равны нулю, если только не удовлетворяется ограничение (8.3.10), и когда оно удовлетворяется, они имеют дельта-образные особенности. [41]
Рассмотрим структуру выражений для деформаций eit ea, v и параметров Xj, иа, х12 изменений кривизны. [42]
По структуре выражения (5.102) и (5.103) аналогичны. Отличие состоит в том, что постоянные коэффициенты в выражении для дисперсии входят в квадрате. [43]
По структуре выражения (4.32) и (4.33) подобны, однако в формуле (4.33) отсутствует время в силу квазистационарного характера контроля. [44]
В структуре выражения ( 2) отображен принцип причинности: индукция в данный момент времени в заданном сечении среды может зависеть лишь от предшествующих моментов времени. В рассматриваемых нами задачах характер поляризации волны, как правило, не играет принципиальной роли. [45]