Структура - граница - раздел
Cтраница 1
Структура границ раздела довольно часто анализируется с помощью ПЭМ ВР, так как, с одной стороны, она обеспечивает хорошее разрешение на атомном уровне, а с другой - граница раздела является идеальным объектом. [2]
На рис. 61 показана структура границы раздела сталь - эмаль Т1, полученная после травления стали в озонированном растворе 10 % - ной H2SO4 и нанесения эмали без грунта. [4]
В [110] для изучения структуры границ раздела в nc - Fe ( d 10 - 15 нм) были использованы методы магнитного последействия ( after-effect) и магнитного насыщения. Магнитное последействие представляет собой временную зависимость магнитной восприимчивости после размагничивания. [5]
 |
Энергетическая диаграмма гетероперехода и его спектральная характеристика. [6] |
Существенное влияние на спектральную характеристику гетероперехода оказывает структура границы раздела двух полупроводников. Если на этой границе имеется большое количество дефектов, то эффективное время жизни избыточных носителей мало. Так как с ростом энергии квантов света в интервале Eg oehv Eg GaAs большая часть света поглощается в прилегающем к переходу слое германия, то фототок резко уменьшается и спектральная характеристика гетероперехода имеет вид двух раздельных максимумов. [7]
Вместе с тем последние исследования [23-27] показывают, что структура границ раздела в наноматериалах близка к таковой в обычных поликристаллах, и степень порядка во взаимном расположении атомов в границах раздела значительно выше, чем предполагали ранее. Применение электронной микроскопии высокого разрешения [28] показало, что в наноматериалах, как и в обычных поликристаллах, атомы границ раздела находятся под влиянием только двух соседних кристаллитов. Поры были обнаружены только в тройных стыках, а не по всей протяженности границ раздела; плотность атомов в межкристаллитных границах оказалась практически такой же, как в кристаллитах. [8]
За последние 10 - 15 лет усилилось внимание к проблемам физики резко неоднородных по составу и структуре границ раздела в металлических системах. Научно-технический прогресс в таких важных областях, как коррозионные явления, вакуумная техника, процессы при трении и смазке и многих других, требует детальных сведений о микроскопической природе поверхности твердого тела и поверхностных явлений. Исследования структуры и свойств поверхностей твердых тел показывают, насколько сложны и разнообразны поверхностные явления. При трении эти поверхности взаимодействуют между собой непосредственно или через смазочную среду; поэтому нетрудно представить, насколько многообразны физико-химические процессы в контактной зоне, протекающие на фоне механического взаимодействия поверхностей. Например, решение такой проблемы при трении, как деформируемость материала в тонком поверхностном слое, связанная с дислокационным, диффузионным и самодиффузионным механизмами пластичности в широком интервале температур, скоростей и деформаций, связано с большими экспериментальными и теоретическими трудностями. [9]
Представляет интерес моделирование рентгеновской дифракционной картины нанокристаллических материалов [78-81] с учетом размера зерна, искажений кристаллической решетки, толщины и структуры границ раздела. Моделирование было выполнено с применением кинематической теории рассеяния рентгеновского излучения. [10]
 |
Электронно-микроскопическое ТП изображение ( поперечное сечение, показывающее образование слоистой структуры при осаждении пленки кремния. [11] |
ПЭМ ВР на поперечных срезах позволяет получать информацию о последовательности слоев, их структуре, эпитаксиальной связи, диффузии между слоями, структуре границ раздела и дислокационной структуре. Применение этого метода стало возможным главным образом благодаря прогрессу в приготовлении объектов для структурных исследований, хотя необходимо длительное и довольно кропотливое приготовление образцов с помощью специальных методов и методик. [12]
В первом случае продвигающийся фронт реакции снимает и пере-сыщение твердого раствора и деформацию решетки, во втором - речь идет о растворении частиц перед фронтом реакции и изменении структуры границы раздела фаз от когерентной к некогерент-ной. Вследствие снижения концентрации твердого раствора перед фронтом прерывистого распада в процессе непрерывного выделения скорость реакции и межламельное расстояние меняются во времени. [13]
В заключение отметим, что процессы туннелирования с участием внутриокисных центров в структурах МДП представляют большой интерес с точки зрения как выяснения природы и условий оптимального проявления эффектов центровой памяти, нашедших уже практическое применение в запоминающих устройствах современной микроэлектронной техники, так и обоснования модельных представлений о структуре границы раздела ДП и примыкающего к ней тонкого диэлектрического слоя. [14]
В указанных работах рассмотрен ограниченный круг эмалевых покрытий на основе стекол в системе Li2O - Na2O - CaO. Структура границы раздела металл-грунт, как известно, существенно влияющая на стабильность рабочего слоя в целом, не исследовалась. [15]
Страницы: 1 2 3