Структура - деление
Cтраница 1
Структура деления возникает, когда в одной из подрешеток соединения постоянного состава больше узлов, чем соответствующих атомов в формуле соединения. Атомы в подрешетке распределяются статистически между большим числом узлов. Структура имеет постоянный состав, но отличается от структуры вычитания. [1]
Структуры деления возникают при расхождении между соотношением числа узлов в двух подрешетках ( металла и неметалла) и числом атомов металла и неметалла в формуле соединения. Это означает, что одна треть таких пустот остается не занятой атомами алюминия. В соединении Ag2HgI4, кристаллизующемся по типу сфалерита, атомы иода занимают все узлы гранецентрированного куба, а два атома Ag и один атом Hg распределены по четырем тетраэдрическим пустотам. [2]
Структуры деления возникают при расхождении между соотношением числа узлов в двух подрешет-ках ( металла и неметалла) и числом атомов металла и неметалла в формуле соединения. Это означает что одна треть таких пустот остается не занятой атомами алюминия. В соединении AgoHgI4, кристаллизующемся по типу сфалерита, атомы иода занимают все узлы гранецентриро-ванного куба, а два атома Ag и один атом Hg распределены по четырем тетраэдрическим пустотам. [3]
Вакансии в структурах деления не связаны с зарядом, ибо в реакции не участвуют атомы, приобретающие или теряющие заряд. [4]
По-видимому, в структурах деления тот же эффект достигается за счет твердых растворов вакансий. Так как обнаружены еще твердые растворы замещения типа Ga2Se3 - Ga2Te3, Ga Te3 - In2Te3 и др. и подлежит изучению возможность возникновения в таких системах структур вычитания, то исследование этих объектов представляет тем больший интерес. [5]
Структура является хорошим примером структур деления: в кубической элементарной ячейке в предельном случае имеется 16 атомов серы и 12 атомов металла. [6]
Самый массивный общественный слой в структуре имущественного деления представлен группами населения, которые тратят свои доходы только на питание, на большее им просто не хватает. [7]
Если в одной из подрешеток соединения постоянного состава число узлов больше, чем число соответствующих атомов в формуле соединения, то возникают структуры деления. [8]
Если вакансии образуются в структурах разрыхления ( по Шоттки) или внедрения, их лучше обозначать стехиометрическим индексом z, например [ ] г. Это же относится к вакансиям в структурах деления. [9]
Если вакансии образуются в структурах разрыхления ( по Шот-тки) или внедрения, их лучше обозначать стехиометрическим индексом г, например [ г. Это же относится к вакансиям в структурах деления. [10]
Вакансии возникают вследствие несоответствия структурного типа решетки химическому составу сложного соединения. Если, например, в одной из подре-шеток соединения постоянного состава число узлов больше, чем число соответствующих атомов в формуле соединения, то возникают структуры деления. Все четыре узла в элементарной ячейке подрешетки серы заняты атомами иода, а на четыре узла подрешетки цинка приходится только три атома металла: 2Ag IHg, которые распределены по четырем узлам статистически. В этой подрешетке, следовательно, 25 % узлов вакантны. Принимается, что взаимодействуют соединения постоянного состава. [11]
 |
Зависимость удель - [ IMAGE ] Термо - э. д. с. системы ной электропроводности от сое - GaAs - Ga0 667 0 333Se. [12] |
А В приходится 917 атомов С. В подрешетке А возникнет структура замещения, в подрешетке же С - структура деления: на 917 атомов С придутся 83 вакансии. [13]
Если в кристалле, например TiOj v ( структура вычитания), часть узлов подрегаетки кислорода не занята за недостатком кислорода в веществе, это естественный результат нехватки атомов. Если в Ga2Se3, а точнее в Ga0e67 [ ] 0 ззз е ( структура деления), 667 атомов Ga должны статистически распределяться по 1000 мест, это столь же естественно, поскольку кристалл имеет структуру типа сфалерита и атомов металла нехватает. Но если соединение Ti с О, имеющее точный состав TiO и кристаллизующееся в структуре NaCl ( где оно может полностью обеспечить атомами все узлы решетки), вместо того, чтобы занять все узлы, занимает только 85 % их в каждой из подрешеток, то это требует серьезного анализа, ибо теория решетки неизменно исходит из моделей, в которых увеличение среднего расстояния между ионами или атомами за счет незанятых узлов значительно ослабляет химические связи, а значит, энергию решетки U или энергию атомизации Q и термодинамически невыгодно. [14]
Допустим, что соединение АС кристаллизуется в структуре, например, типа сфалерита или каменной соли, где в каждой из под-решеток А и С число узлов отвечает числу атомов и в принципе может возникнуть бездефектный кристалл. А - - В приходится 917 атомов С. В подрешетке А возникнет структура замещения, в подрешетке же С - структура деления: на 917 атомов С придутся 83 вакансии. [15]
Страницы: 1