Структура - дефект - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если у тебя прекрасная жена, офигительная любовница, крутая тачка, нет проблем с властями и налоговыми службами, а когда ты выходишь на улицу всегда светит солнце и прохожие тебе улыбаются - скажи НЕТ наркотикам. Законы Мерфи (еще...)

Структура - дефект

Cтраница 1


1 Два типа краевых дислокаций в лиотропных смектических структурах. [1]

Структура дефектов в ламеллярных фазах существенно зависит от содержания воды в образце и от темп-ры.  [2]

Структура дефектов зависит от размера ядра. Исследовалась структура отдельного дефекта размером 1 5 мкм, полученная путем нанесения на его поверхность сетки и снятия реплик с отдельных участков его поверхности от центра к периферии. Обнаружено, что в центре дефекта расположено ядро, которое состоит из структур полосатого типа. С удалением от центра нарушается сплошность полос и изменяется их структура.  [3]

Изменения структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек фазовых переходов / А.  [4]

Рассеяние первой группы обусловливается неоднородностью структуры дефектов и внутренних напряжений, возникающих в стекловолокнах при их вытягивании и последующей текстильной переработке, колебаниями химического состава связующего, режимом прессования ( отверждения) пластмасс, сложившейся ориентацией наполнителя, степенью полимеризации связующего и распределением этой степени полимеризации в объеме стеклопластиков, наличием различных фаз и включений. Сюда же относится рассеяние за счет метода изготовления и кондиционирования образцов для испытаний.  [5]

Неравновесные границы зерен в наноструктурных материалах вследствие наличия в их структуре внесенных дефектов с предельно высокой плотностью обладают избыточной энергией и дальнодействующими упругими напряжениями. В результате действия этих напряжений вблизи границ зерен возникают значительные искажения и дилатаций кристаллической решетки, которые экспериментально обнаруживаются методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеноструктурного анализа.  [6]

Во многих случаях большие усилия были затрачены на попытки составления сплавов без должного знания структуры дефектов и полупроводниковых характеристик окисла. Примером такого рода служат попытки повысить устойчивость циркония против окисления. Многие авторы предполагают, что двуокись циркония ячляется полупроводником n - типа с кислородными вакансиями.  [7]

8 Зависимость свободной энергии от. [8]

Дефекты упаковки служат местами гетерогенного зарождения лишь в тех случаях, когда структура выделения тождественна структуре дефекта упаковки. Следовательно, полоса дефекта упаковки между частичными дислокациями в твердом растворе серебра в алюминии, обогащенная атомами серебра ( атмосфера Сузуки), - это готовый зародыш у - фазы.  [9]

С другой стороны, благодаря развитию современных спектральных методов исследования сейчас накоплен обширный экспериментальный материал относительно структуры дефектов на поверхности окислов и природы различного рода адсорбированных свободных радикалов. Целью настоящей работы является рассмотрение этих результатов и обсуждение возможности их использования для более глубокого понимания механизма зарождения свободных радикалов на поверхности окислов.  [10]

Давление кислорода может оказывать влияние не только на концентрацию дефектов определенного типа, но также и на саму структуру дефектов. В этой связи было высказано предположение [ 411, что Та3О5 имеет структурный дефект антифренкелевского типа, который заключается в наличии внедренных в междоузлия ионов кислорода наряду с вакансиями кислорода. Внедренные ионы кислорода и связанная с ними / 7-проводи-мость преобладают при высоких давлениях кислорода, тогда как вакансии кислорода ( я-проводимость) характерны для низких парциальных давлений кислорода.  [11]

Многие точечные дефекты парамагнитны, и при благоприятных условиях из анализа спектра ЭПР можно получить ценные сведения об идентификации и структуре дефекта. Вакансии сами по себе не парамагнитны, однако при их наличии могут образовываться некоторые парамагнитные центры.  [12]

13 Осциллограммы выходных сигналов в отсутствии ( а и при наличии дефекта расслоения ( б в композитном материале. [13]

Накопление и совместная обработка результатов измерений отраженных сигналов, получаемых в результате перемещения источника ультразвукового излучения по поверхности объекта, позволяет восстановить структуру дефектов в композитном материале.  [14]

Добавление к нему новых катионов вызывает появление новых дефектов каркаса стекла, так как они производят искажение существующих в стекле связей и несколько меняют структуру исходных дефектов. При дальнейшем увеличении количества добавляемых ионов в стекле начинают образовываться новые сильные ионные и ковалентные ассоциации в каркасе и структура стекла начинает упорядочиваться, а значение Ft уменьшаться. В точке М стекло находится в наиболее упорядоченном состоянии, предшествующем его кристаллизации.  [15]



Страницы:      1    2    3    4