Описанная структура
Cтраница 4
Все описанные структуры получают из раствора быстрым охлаждением. Для получения кристаллов больших размеров 0 001 % - ный раствор полиэтилена одной из фракций заливали в ампулу, которую запаивали и помещали в глицериновый термостат, снабженный терморегулятором. [46]
Для описанной структуры смеси реального газа, особенно при больших давлениях и малых температурах, когда уплотнение газа находится недалеко от границ конденсации его в жидкость, задача формулировки уравнения состояния становится трудной и пока еще не решена. [47]
В описанной структуре принцип централизации проявляется в том, что цель ( критерий) функционирования каждого уровня вырабатывается в вышележащем уровне. В то же время в соответствии с принципом автономности способ достижения заданной цели ( алгоритм) определяется независимо на каждом уровне. [48]
В описанной структуре элементарного процесса коммуникации достаточно ясно прослеживается смысл составляющих ее действий субъектов. Однако характеристика конечной ситуации недостаточна по той причине, что термины понял или правильно понял сами недостаточно эксплицированы. [49]
В описанных структурах с полной диэлектрической изоляцией в качестве подложки применяют поликристаллический кремний. Существует метод изоляции, при котором подложкой является стеклянная пластина. Сущность метода заключается в том, что пластина кремния с полностью изготовленными ИМС, защищенными слоем SiO2, припаивается этим слоем к стеклянной пластине. После этого участки полупроводникового материала между ИМС удаляются. Недостатками метода являются необходимость точного совмещения и сложный процесс травления. [50]
Для нас описанные структуры должны представлять исключительный интерес. Открытая в апреле 1929 г. нефть на Урале в Верхнечусовских Городках подчинена структуре того же типа с некоторыми особенностями. [51]
На основании описанных структур вся группа силикатов может быть подразделена на 6 подгрупп. [52]
Кроме двух описанных структур в перечень основных массивов обычно включают служебные массивы и различные таблицы специальных группировок и данных конкретного предприятия, применяемые в процессе решения задач. [53]
Для создания описанной структуры в качестве источника ионов используется диборан В2Нв, легирование осуществляется бомбардировкой ионов В 1 с энергией ( 4 - 5) - Ю-1 Дж с последующим отжигом при температуре 800 С в течение 10 мин. [55]
Основными недостатками описанных структур типа плоских гомоклиналей является то обстоятельство, что головные части слагающих их пластов, в том числе и нефтяных песков, выходят на дневную поверхность, что ведет к постоянной утечке нефти и потере газа, если на их пути не возникнет подходящего препятствия. Таким препятствием может быть или сброс ( фиг. [56]
 |
Схема вторичных течений в межлопаточном канале fa и распределение коэффициентов потерь кинетической энергии по высоте решетки ( б. [57] |
Опыты подтверждают описанную структуру течения жидкости у ковдов лопаток. Распределение потерь кинетической энергии и углов выхода потока по высоте решетки показывает характерное для вихревых областей течения изменение этих величин. Максимальные потери имеют место в области развитого вихревого движения. По мере уменьшения высоты лопаток области повышенных потерь сближаются, и при некоторой высоте вихревое движение распространяется на все сечение канала - происходит смыкание вторичных течений. [58]
Поэтому в описанной структуре все же следует опасаться нежелательных явлений в результате оттеснения эмитерного тока в область со слишком большой толщиной базы. Для обеспечения более высоких значений рабочих токов технологическую схему изготовления транзисторов с диффузионными эмиттером и коллектором приходится несколько усложнять. По более сложной схеме в качестве исходной берется шлифованная пластина толщиной не 150 - 200, а 250 - 300 мк и в нее проводится с двух сторон двухстадийная диффузия фосфора на глубину порядка 100 - 120 мк, после чего с одной стороны сошлифовывается весь диффузионный слой и часть высокоомного слоя исходного материала, так что оставляется пластина толщиной 130 - 150 мк, имеющая сильнолегированный n - слой толщиной 100 - 120 мк и слаболегированный р-слой толщиной около 30 мк. Вслед за этим в высокоомный р-слой проводят диффузию фосфора на глубину около 10 мк, потом этот слой стравливают отовсюду, кроме участков, где должна располагаться эмиттерная область, проводят диффузию бора, а затем проводят вторую стадию диффузии. Еще одна причина, л о которой следует диффузию эмиттера проводить отдельно от диффузии коллектора и на относительно малую глубину, заключается в том, что мелкий эмиттер, имеющий более крутой градиент распределения примеси у перехода и более высокое значение концентрации фосфора на поверхности, может обеспечить более высокий коэффициент инжекции. [59]
Показано, что описанные структуры свойственны всем сажам в различной степени; устойчивость этой структуры определяет ее основную роль в резиновой смеси. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5