Другая структура

Cтраница 1

Плотноупакованные структуры с заполнением октаэдрических пустот. [1]

Другие структуры, в которых заполнено / 4, / е или / а октаэлрическнч пустот в ПУ-слоях АХ3, см. разд. [2]

Другие структуры являются промежуточными между молекулярными кристаллами и бесконечными трехмерными комплексами. В простом молекулярном кристалле, например в твердом СН4, отдельные молекулы достаточно обособлены, а для As4O0 и Sb4OG, приводившихся в качестве примеров конечных комплексов, на основании определения углов между связями и межатомных расстояний доказано образование связей между атомами металла одного комплекса и атомами кислорода другого ( см. стр. Связи между атомами различных комплексов слабы по сравнению со связями внутри комплекса, однако они используют определенные электронные пары атомов кислорода и на этом основании должны различаться от чистых ван-дер-ваальсовских связей. Структуры элементарных мышьяка, сурьмы и висмута, а также Zn и Cd иллюстрируют переход от двухмерного к трехмерному комплексу. При идеальной плотной упаковке каждый атом имеет 12 равноудаленных ближайших соседей. В металлическом мышьяке существуют довольно хорошо выраженные слои, каждый атом в которых имеет трех соседей в данном слое на расстоянии 2 51 А и трех соседей в прилегающем слое на расстоянии 3 15 А. В сурьме и висмуте слои становятся соответственно менее резко выраженными, на что указывает все уменьшающаяся разность между соответствующими расстояниями - 2 87 н 3 37 А в Sb; 3 10 и 3 47 А в Bi. В цинке и кадмии каждый атом имеет шесть ближайших соседей в основной плоскости и шесть более удаленных, три из которых лежат над этой плоскостью, а три - ниже ее. Расстояния этих двух групп соседних атомов равны соответственно 2 660 и 2 907 А в Zn и 2 973 и 3 287 А в Cd, что указывает на более прочные связи внутри слоя, чем между слоями, как это можно предполагать на основании физических свойств. [3]

Другая структура, для которой известно точное значение эффективных постоянных упругости, представляет собой композицию из чередующихся плоских слоев. Очевидно, такой материал будет упруго анизотропным. [4]

Микрофотографии исходного ( а и дегидратированного ( б байерита. [5]

Другая структура возникает, когда образующаяся, в результате топохимической реакции новая фаза кристаллизуется в виде отдельных блоков - кристаллитов. Их расположение и ориентация определяются локализацией зародышей новой фазы, механизмом кристаллизации, преимущественными направлениями роста граней, подвижностью блоков. Образующаяся при этом структура пор, вероятно, носит лабиринтообразный характер в виде промежутков между блоками новой фазы, форма и взаимное расположение которых определяются перечисленными условиями. [6]

Другие структуры будут рассмотрены при соответствующих терпенах ( стр. [7]

Другие структуры слоения Зейферта сохраняются не всеми правыми умножениями. Однако умножение в группе S3 справа на комплексные числа, по модулю равные единице, образующие окружность S1, которую мы отождествляем с окружностью 22 0 в S3, сохраняет все эти структуры. Таким образом, всякая конечная, а значит, циклическая подгруппа группы S1 свободно действует на S3, сохраняя все структуры слоения Зейферта, и при этом мы получаем фактормногообразия с бесконечным числом неизоморфных структур расслоений Зейферта. [8]

Другие структуры баз данных в конечном счете сводятся к описанным выше. [9]

Другой структурой, обычной для некоторых кристаллов А2ВО4, является структура шпинели ( стр. Аналогично этому, Zn2SiO4 имеет структуру фенацита, a Zn Ti04 ( содержащий более электроположительный Ti) кристаллизуется в структуре шпинели. Эти факты приведены для того, чтобы показать, что индивидуальность такого, например, иона, как S042 -, подвержена влиянию окружающих ионов и температуры, Гольдшмидт провел и пспробно исследовал соотношения между различными структурами, которые; принимают кристаллы, имеющие формулу данного типа. [10]

Тригональная бипирамидалъная структура. [11]

Все другие структуры, указанные в табл. 8.3, представляют собой правильные геометрические фигуры, причем в этих случаях каждая электронная пара окружена одинаковым числом соседних пар. [12]

Некоторые другие структуры будут рассмотрены позже. [13]

Существует другая структура ЗУ, так называемая 2 5D, также использующая принцип совпадения токов, но позволяющая при сравнительно небольших затратах оборудования получать высокое быстродействие. ЗУ со структурой 2.5 D по затратам оборудования занимают промежуточное положение между ЗУ со структурами 2D и 3D, но значительно превосходят их по быстродействию. Оно состоит из плоского ( двумерного) запоминающего массива, группы возбудителей линий У, возбудителей линий X и разрядных усилителей считывания. [14]

Существует другая структура ЗУ, так называемая 2.5 D, также использующая принцип совпадения токов, но позволяющая при сравнительно небольших затратах оборудования получать высокое быстродействие. ЗУ со структурой 2 5D по затратам оборудования занимают промежуточное положение между ЗУ со структурами 2D и 3D, но значительно превосходят их по быстродействию. Оно состоит из плоского ( двумерного) запоминающего массива, группы возбудителей линий Y, возбудителей линий X и разрядных усилителей считывания. [15]

Страницы: 1 2 3 4