Cтраница 3
Доменная структура реального кристалла в значительной мере определяется природой и характером распределения его дефектов. В таком кристалле взаимодействие доменной границы с дефектами кристаллической решетки приводит к деформации ее формы, в результате которой, как и в случае тепловых флуктуации профиля доменной стенки, эффективная толщина переходного слоя между доменами возрастает. Естественно предположить, что одной из возможных причин наблюдения в эксперименте относительно широких доменных границ является регистрация в большинстве экспериментов не локальной толщины доменной стенки, которая остается узкой, а эффективного переходного слоя между доменами, который возникает за счет деформации формы доменной стенки в кристаллах с дефектами. В пользу такого предположения говорят эксперименты по электронно-микроскопическому исследованию ширины границы в молибдате гадолиния [137-139], которые, фиксируя значение толщины границы всего в несколько постоянных решетки, разнятся с данными оптических измерений ширины границы на два-три порядка. [31]
Доменная структура данного класса сегнетоэлектриков очень лабильна. [32]
Доменная структура тонких ферромагнитных пленок весьма специфична. Характер доменов и границ между ними существенно зависит от толщины пленки. При малой толщине из-за того, что размагничивающий фактор в плоскости пленки на много порядков меньше, чем в направлении нормали к ней, намагниченность располагается параллельно плоскости пленки. В этом случае образования доменов с противоположными направлениями намагничивания по толщине пленки не происходит. [33]
Эта доменная структура устойчива по отношению к свету. При считывании электроны фотовозбуждаются и покидают область голограммы, оставляя нескомпенсированные заряды ионов. Стирание голограммы достигается путем мгновенного приложения электрического поля, значительно превышающего коэрцитивное, которое переводит кристалл в монодоменное состояние. [34]
На доменные структуры влияют также магнитоупругая энергия, энергия, связанная с доменными стенками, и ряд других причин. [35]
Если доменная структура сегнетоэластиков и ее эволюция во внешних полях изучались во множестве работ, то исследований, непосредственно посвященных связи доменной структуры со сверхупругостью, сравнительно немного. Анализируя сверхупругость сегнетоэластиков во внешнем упругом поле, следует иметь в виду, что оно приводит к перестройке доменной структуры кристалла, так как энергии различных ориентационных состояний становятся неодинаковыми и понижение упругой энергии может быть достигнуто за счет изменения размеров, формы и распределения доменов. [36]
![]() |
Модель замкнутой доменной структуры Ландау - Лифшица. [37] |
Однако рассмотренная доменная структура, относящаяся к классу структур с незамкнутым потоком ( в него входят структуры, изображенные на рис. 3.9, а также лабиринтные, серпантинные и другие структуры), не всегда является энергетически наиболее выгодной. [38]
Хотя доменная структура ТГС в значительной мере зависит от условий выращивания кристалла ( и особенно от температуры роста), в большинстве кристаллов, не подвергавшихся воздействиям электрических и механических полей, домены имеют форму стержней, ориентированных в направлении оси у с чечевицеобразным сечением. Длинная ось чечевице-образного сечения ориентирована вдоль оси а кристалла и лежит примерно в его оптической плоскости. [39]
![]() |
Модель замкнутой доменной структуры Ландау - Лифшица. [40] |
Однако рассмотренная доменная структура, относящаяся к классу структур с незамкнутым потоком ( в него входят структуры, изображенные на рис. 3.9, а также лабиринтные, серпантинные и другие структуры), не всегда является энергетически наиболее выгодной. [41]
Формирование доменных структур при перема-гничивании пластин с плоскостью, близкой к плоскости 100 ( по данным Ю. Н. Дра-гошанского, Я. С. Шура); а - магнитонасышенное состояние; 6 - г - на петле гистере-эиса между насыщением и коэрцитивной силой; д - в состоянии коэрцитивной силы; I, II, III - наклон одной из тетрагональных осей к плоскости пластины 0, 2 и 6 соответственно. [43]
Характер доменной структуры в этом сплаве воспроизведен в обзоре [9], где также подробно обсужден механизм образования рассматриваемого вида магнитной анизотропии. [44]
Тип доменной структуры определяется числом ориентации спонтанной поляризации, допускаемых симметрией точечной группы кристалла. [45]