Cтраница 2
Остаточный класс IR, построенный в определении 9.2.2, лежит в Ak - aR - Было бы полезно иметь условия, при которых IR совпадает с циклом [ R ], связанным с этой схемной структурой, или вычислять IR при помощи этой схемной структуры. [16]
Остаточный класс IR, построенный в определении 9.2.2, лежит в Ak - aR - Было бы полезно иметь условия, при которых IR совпадает с циклом [ R ], связанным с этой схемной структурой, или вычислять IR при помощи этой схемной структуры. [17]
Чувствительность является мерой влияния на выходные величины1) изменения схемных параметров, например сопротивлений резисторов, индуктивностей катушек индуктивности, емкостей конденсаторов, коэффициентов усиления р транзисторов, конечных коэффициентов усиления операционных усилителей без обратной связи и неидеальности характеристик гираторов. Некоторые схемные конфигурации отличаются исключительной чувствительностью, и их выходные реакции могут испытывать значительные искажения при малых изменениях схемных параметров. Другие же схемные структуры ( например, лестничные схемы) отличаются исключительной нечувствительностью, так что существенные искажения их выходных величин будут наблюдаться лишь при больших отклонениях параметров схемных элементов от нормы или же в случае работы этих элементов в условиях, значительно превосходящих их возможности. [18]
По сравнению с предыдущим поколением измерительных приборов на жесткой логике техническое обеспечение приборов со встроенными микропроцессорами обладает более высокой степенью унификации. При узловой унификации повышаются число возможных вариантов схемы и соответственно возможности адаптации схемной структуры к функциям прибора. [19]
Из приведенных примеров комбинаторных систем видно, что даже те из них, которые содержат одно и то же число элементов и связей, имеют множество схемных решений. При этом варианты могут отличаться числом элементов, приходящихся а одну управляющую цепь, а также пространственным расположением элементов и связей. Рассмотрим некоторые оценки и критерии схемных структур КС. [20]
Этот метод позволял технику многократно исполнять выбранную последовательность машинных инструкций, используя средства управления остановом - повторным пуском. В машине EDSAC была внедрена автоматическая процедура, которая позволяла исполнять тест-программы в сочетании с методами граничных напряжений или без них. Эта методика, описанная Уилксом и др. [85], часто оказывала значительную помощь при отыскании граничных неисправностей. Тем не менее обслуживание всех этих машин в значительной мере базировалось на квалификации и мастерстве обслуживающего техника. Он должен был досконально знать логическую и схемную структуру машины, должен был производить регулировки, запускать тесты и вручную интерпретировать результаты тестов. [21]
Пригодные для каскадного включения функциональные элементы, где используются солитоны или туннельные электроны, в принципе должны обеспечить возможность сборки интегральных схем для обработки информации. Однако то, что это возможно в принципе, никак не может нас удовлетворить. Необходимо найти вариант практической реализации таких схем. С точки зрения изготовления интегральных схем молекулярной электроники процессы последовательного нанесения слоев и их структурирования, применяемые в микроэлектронике, несомненно, относятся к макроскопическим. В этой области технология нуждается в значительно более тонких методах. На начальной стадии, к примеру, может найти применение известный из биохимии метод Мэрифилда, с помощью которого на подложке в результате определенных манипуляций ( проще говоря, путем капельной обработки и промывки подложки) строят аминокислотные цепочки, нанизывая молекулу за молекулой. Благодаря переносу этого метода на молекулы других типов, возможно, удастся реализовать схемные структуры из молекулярных функциональных элементов, например в виде хромофоров, а межсоединения из полинитридов серы. В качестве других базовых методов можно было бы применять процессы создания мономолекулярных слоев, скажем метод Ленг-мюра - Блоджета, когда мономолекулярный слой получают на поверхности жидкости, а затем снимают и переносят на подложку. [22]
Сегодня молекулярной электроники как таковой еще не существует и никто не может с уверенностью сказать, какую конкретную форму она примет и станет ли реальностью вообще. Сейчас она представлена своего рода принципиальной концепцией, набором интересных идей и экспериментальных результатов, ее никак нельзя считать сложившимся направлением, имеющим практический выход, такой, как, например, электронные приборы на переходах Джо-зефсона или приборы, основанные на эффекте оптической бистабильности. Однако главная идея молекулярной электроники остается весьма привлекательной. Если в микроэлектронике в настоящее время предпринимаются усилия, направленные на дальнейшее уменьшение размеров функциональных элементов, правда, на макроскопическом уровне ( т.е. в микронном диапазоне, когда эти элементы состоят из миллиардов атомов), то молекулярная электроника предлагает принципиально иное решение. Ее базовыми элементами являются мельчайшие составленные частицы материи-атомы и молекулы размером порядка нанометра. Нанотехнология синтезирует элементы путем упорядоченной сборки конструкций из отдельных атомов, доводя до минимума количество вещества, необходимого для получения элемента, обеспечивающего обработку информации. В нано-технологии интегральные схемы создаются не так, как в микроэлектронной технологии, поскольку технологическая цепочка исходит как бы из глубин материи, используя присущую молекулам и атомам склонность к образованию определенных микроскопических структур. Важнейшим инструментом молекулярной электроники, который используется для создания схемных структур, являются химические связи. [23]