Упорядоченная кристаллическая структура
Cтраница 1
 |
Зависимость прочности при растяжении от степени полимеризации. [1] |
Упорядоченная кристаллическая структура может образовываться самопроизвольно или под влиянием внешних условий. [2]
 |
Кривые ползучести при сжатии и растяжении камышесечковой плиты ( без начальных деформаций. [3] |
Полимеры упорядоченной и кристаллической структуры под длительным воздействием нагрузки деформируются значительно меньше, чем аморфные. Как указывалось, в обычном ненапряженном состоянии элементарные частицы их, колеблясь около некоторого среднего положения, вообще не способны совершать случайные перескоки. [4]
Обе фазы имеют упорядоченную кристаллическую структуру. Так как решетки обеих фаз однотипны, а параметры их близки друг к другу, то между ними сохраняется прочная когерентная связь и свойственное такому роду связи напряженное состояние по поверхностям раздела фаз. [5]
Эпитаксия-процесс выращивания слоев с упорядоченной кристаллической структурой путем реализации ориентирующего действия кристалла подложки. Ориентированно выраженные слои нового вещества, закономерно продолжающие кристаллическую решетку подложки, называют эпитаксиальными слоями. Эпитак-сиальные слои на кристалле выращивают в вакууме. Процессы эпитаксиального выращивания полупроводниковых слоев аналогичны получению тонких пленок. [6]
На наш взгляд, причина более упорядоченной кристаллической структуры осадков Сг ( ОН) 3, получаемых в системе Сг ( NO3) 3 - - NH4OH - Н2О, заключается в следующем. Поскольку в растворах зеленой и фиолетовой форм нитрата хрома равновесие устанавливается быстро [186] и анионы NOF не входят во внутреннюю координационную сферу комплексного катиона [187], осадки гидроокиси хрома получаются без примеси нитрат-ионов, легче рекристаллизуются, давая более крупные блоки, достаточные для появления рентгеновской дифракции. Наоборот, в растворах зеленых форм хлорида [ 1881 и сульфата [189, 190] хрома комплексные катионы связаны с координированными анионами СР и SO - , способствующими осаждению рентгеноаморфной гидроокиси хрома. [7]
Однако рассмотренные выше адсорбенты не обладают упорядоченной кристаллической структурой и характеризуются неоднородной пористостью. Поры таких адсорбентов доступны для веществ, молекулы которых значительно различаются го объемам и форме. [8]
 |
Коэффициенты аккомодации. [9] |
Наименьшие значения степени черноты металлов наблюдаются при отсутствии нарушений упорядоченной кристаллической структуры их поверхности. Для получения минимальной степени черноты снимают напряжения в поверхностном слое и очищают его без создания остаточных напряжений, например путем отжига и последующего травления. [10]
Наименьшая поглощательная способность поверхности металла обеспечивается при отсутствии нарушений упорядоченной кристаллической структуры поверхности. Хорошие результаты дает электрополировка. Наименьшую поглощательную способность имеют поверхности ( при достаточной толщине пленки) металлов, нанесенных испарением в вакууме, электролитическим или химическим способами. При механическом полировании поглощательная способность возрастает вследствие нагартовки поверхностного слоя металла. [11]
Активные угли, активная окись алюминия и силикагель не обладают упорядоченной кристаллической структурой и поэтому характеризуются неоднородной пористостью. Широким распределением пор отличаются, в частности, активные угли, и поры в них доступны для молекул всевозможных соединений, за исключением, пожчлуй, высокомолекулярных полимеров. Цеолиты имеют однородные поры ( от 3 до 10 А), размер которых однозначно определяется строением элементарной ячейки кристалла. Все эти поры не способны адсорбировать молекулы, размер которых превышает диаметр пор. [12]
Не менее важным является процесс графитизации обожженных заготовок, цель которого - получение упорядоченной кристаллической структуры, что характерно для перехода углеродистого материала в графит. Процесс графитизации протекает при очень высоких температурах, доходящих до 3000 С, при значительной затрате электроэнергии. [13]
Не менее важным является процесс графитизации обожженных заготовок, цель которого - получение упорядоченной кристаллической структуры, что характерно для перехода углеродистого материала в графит. Процесс графитизации протекает при очень высоких температурах, доходящих до 3000 С, при значительной затрате электроэнергии. [14]
Эта тенденция полностью реализуется только при низких температурах, когда она приводит к образованию упорядоченной кристаллической структуры. При более высоких температурах, соответствующих жидкому состоянию, ей противостоит дезорганизующее действие теплового движения, в результате чего устанавливается лишь частичный порядок, который может быть приближенным образом описан посредством введения в рассмотрение молекулярных группировок конечного размера с примерно одинаковой ориентацией. Существование таких группировок, или роев, в анизотропных жидкостях ( жидких кристаллах) уже давно было подвергнуто теоретическому обсуждению Кастой и Орнштей-ном на основе большого количества экспериментальных данных. [15]
Страницы: 1 2 3 4