Зонная структура - кристалл
Cтраница 2
 |
Зонная структура арсенида галлия ( а и антимонида индия ( б. [16] |
Из рассмотренного в этой главе материала видно, что одна из важнейших характеристик зонной структуры кристалла - ширина запрещенной зоны, которую в большинстве случаев определяют экспериментально. Ширина запрещенной зоны сильно зависит от внешних воздействий на кристалл, в частности от давления и температуры. [17]
Изменение параметра решетки, которое можно ожидать при сильном легировании, будет влиять на зонную структуру кристалла аналогично эффекту всестороннего сжатия. [18]
Несомненно, что такая схема прогноза является крайне упрощенной, так как не учитывает искажения зонной структуры кристалла вблизи поверхности и ряда других обстоятельств, о которых речь пойдет в следующей главе. Однако она открывает один из возможных путей, по которому может развиваться прогнозирование гетерогенных катализаторов. [19]
Следовательно, напряжения, обусловленные тепловыми колебаниями атомов в кристаллической решетке, будут влиять на зонную структуру кристалла. [20]
Существенно, что можно рассчитать степень ионизации примеси как функцию концентрации и температуры, если известна энергия ионизации примеси и зонная структура кристалла - растворителя. Это уже проделано для многих примесей в Ge и Si и, по-видимому, вскоре будет сделано для нескольких полупроводников типа АщВу. Поскольку в большинстве реакций определяются только изменения концентрации носителей, то необходимо, очевидно, знать степень ионизации, чтобы получить истинные изменения концентрации реагирующих атомов. [21]
 |
Спектрограмма желтой водородоподобной серии линий поглощения экситопа в Сн2О при 4 2 К. Сверху указан номер членов серии, частоты к-рых удовлетворяют водородоподобной сериальной формуле. [22] |
Спектр в глубине полосы имеет сплошной характер с широкими максимумами ( рис. ( i); сложность основной полосы обусловлена сложностью зонной структуры кристаллов, к-рая состоит из неск. [23]
Хотя рассмотренные выше методы ППВ, ОПВ и метод функций Грина включают некоторые допущения, заимствованные из атомных расчетов, и апеллируют к эксперименту, они в основном должны рассматриваться как неэмпн-рпчсскпе, п оныт их применения к расчету зонной структуры разнообразных кристаллов свидетельствует о возможности успешной неэмппрической трактовки электронной структуры твердого тела. [24]
Убедительное сопоставление остальных пиков отражения с определенными междузонными переходами может быть сделано только на основе детальных теоретических расчетов. Однако расчеты зонной структуры кристаллов с большим числом атомов, занимающих неэквивалентные позиции в решетке, встречают большие трудности. Имеющиеся исследования [13, 14] описывают возможные переходы только в симметричных точках зоны Бриллюэна, тогда как в сложных кристаллах интенсивные пики отражения могут возникать в критических точках, расположенных в общем объеме зоны. По этим причинам сопоставление пиков отражения с определенными междузонными переходами на существующем уровне теоретических зонных расчетов не может быть сделано в рассматриваемых кристаллах. [25]
Экспериментальное изучение частотной зависимости коэффициента поглощения позволяет определить тип оптических переходов при двухфотонном поглощении. В зависимости от зонной структуры кристалла и условий эксперимента может либо преобладать один тип переходов, либо наблюдаться их суперпозиция. [26]
Несколько неожиданным оказался факт высокой степени ионности связи у элементов в-подгрупп: например, хлорид меди имеет наивысшую ион-ность связи из всех галогенидов. Этот вопрос изучался специально с позиций зонной структуры кристаллов, и было найдено, что в этих соединениях атомы металлов имеют валентность более высокую, чем групповая, за счет участия в химической связи электронов с предыдущего слоя. [27]
Отметим, что кроме указанных выше достоинств ( важных для построения интересующего нас варианта теории) полуэмпирический метод позволяет в значительной мере, как и в молекулярной квантовой химии, скорректировать недостатки приолижения, поскольку эмпирические значения параметров в неявном виде учитывают ряд факторов, опускаемых в неэмпирическом подходе. По этой причине, например, при вычислении зонной структуры кристаллов в неэмпирический расчет зачастую вводят поправочные эмпирические параметры. Такой смешанный метод оказывается значительно более точным, в то время как чисто неэмпирический подход часто приводит к плохому согласию с опытом ( см. подробнее разд. [28]
Обычно при значениях энергии фотонов, близких к ширине запрещенной зоны Л §, наступает возрастание коэффициента поглощения. Однако конкретный вид зависимости К от энергии фотонов или их частоты определяется также зонной структурой кристалла. [29]
Влияние магнитного поля на ковалентные кристаллы очень мало, и его исследование представляет меньший интерес, чем исследование диэлектрических свойств кристаллов. Тем не менее может оказаться полезным использовать эти явления в качестве инструмента для изучения зонной структуры кристаллов. [30]
Страницы: 1 2 3