Лабиринтная структура

Cтраница 1

Лабиринтная структура, показанная на фиг. [1]

Лабиринтная структура показанная на фиг. [2]

Вследствие выделения А12О3 на границах зерен поверхность пленок CdS приобретает лабиринтную структуру. [3]

Если пластину поместить во внешнее неизменное по направлению магнитное поле, перпендикулярное к ее поверхности, и увеличивать напряженность поля, то лабиринтная структура разрывается и образуются цилиндрические домены ( рис. 9 - 12, в), диаметр которых при дальнейшем усилении поля уменьшается, пока не будет достигнуто однородное однодоменное намагничивание всей пластинки. Цилиндрические домены, существующие при определенных значениях напряженности магнитного поля, управляемые полем ( возможно смещение по двум координатам), представляют большой интерес при создании устройств вычислительной техники. [4]

Если пластину поместить во внешнее неизменное по направлению магнитное поле, перпендикулярное к ее поверхности, и увеличивать напряженность поля, то лабиринтная структура разрывается и образуются цилиндрические домены ( рис. 9 - 12, в), диаметр которых при дальнейшем усилении поля уменьшается, пока не будет достигнуто однородное однодоменнсе намагничивание всей пластинки. Цилиндрические домены, существующие при определенных значениях напряженности магнитного поля, управляемые полем ( возможно смещение по двум координатам), представляют большой интерес при создании устройств вычислительной техники. [5]

В результате развития эллиптической неустойчивости ЦМД переходит в полосовой или, чаще всего, в лабиринтный домен, причем из одного ЦМД может возникнуть лабиринтная структура, заполняющая всю пластинку. [6]

Чтобы пояснить, откуда берутся при этом большие значения q, обратимся к рис. 8.2, на котором белой линией показан канал, по которому ток может идти слева направо через лабиринтную структуру. Тогда в предположении, что на рис. 8.2 изображена часть двумерного образца, сеть изолирующих прослоек в нем увеличивает его сопротивление в q L / h и 20 раз. Если же на рис. 8.2 показан срез трехмерного материала, то рост сопротивления в нем порядка q L / h2 и 200 раз. [7]

В исходном размагниченном состоянии ( при Н - 0) пленка из ЦМД-матернала обладает, как правило, неупорядоченной лабиринтной доменной структурой ( рис. 2, а) с двумя типами доменов, намагниченность к-рых направлена вдоль либо против нормали к поверхности пленки. Характерное значение ширины домена в лабиринтной структуре зависит от намагниченности насыщения и составляет 0 5 - 5 мкм в ферритах-гранатах, 0 1 - 0 5 мкм в гексаферритах, 30 - 100 мкм в ортоферритах. [8]

Результаты измерения средней ширины L полосового домена ( кривая 2) и поля троганпя Ятр ( кривая 7) при различных температурах для составов 1 - 3 табл. 1 представлены на рис, 2 - 4 соответственно. При этом имеет место и изменение характера равновесной доменной структуры. Лабиринтная структура сохраняет устойчивость только в интервале 300 - 420 К. При 17 300 К доменная структура теряет периодичность, домены становятся угловатыми, с резкими изгибами границ, а коэрцитивная сила и поле трогания ( см. кривую 1) резко увеличиваются. Среднее значение температурного коэффициента ширины домена AL / A77 для этого состава в диапазоне температур 300 - 350 К превышает 0 8 мкм / К. При Т 420 К лабиринтная структура становится неустойчивой и при воздействии импульсов Я достаточно большой амплитуды переходит в структуру плотно упакованных цилиндрических доменов. При этом величина Ятр заметно возрастает. При Т 437 К доменная структура пропадает, что, по-видимому, связано с достижением точки Кюри, и появляется только при охлаждении образца ниже 423 К. [9]

Методом химических транспортных реакций получены пленки магний-марганцевого феррита с добавками алюминия с пониженной намагниченностью насыщения. Исследовано влияние магнитных полей, приложенных в плоскости пленки и перпендикулярно к ней, на микродоменную структуру этих пленок. В размагниченном состоянии пленки обладают лабиринтной структурой, которая в полях порядка 2600 Э, перпендикулярных плоскости пленки, перестраиваются в ЦМД, а в полях, приложенных в плоскости пленки - в микрополосовую структуру. Показана зависимость периода микрополосовой доменной структуры от приложенного поля. [10]

Согласно данным Мартинуцци и др. [27], качество кристаллической структуры пленок, осаждаемых посредством пульверизации, определяется отношением концентраций атомов S и Cd в распыляемом растворе. Такие пленки лучше всего подходят для изготовления солнечных элементов. Бодхрадж и др. [26] при использовании неоднородно легированных алюминием пленок CdS с плотной лабиринтной структурой получили более стабильные элементы с улучшенными характеристиками. [11]

Более распространена лабиринтная модель эвристич. В этой модели каждая задача, стоящая перед субъектом или технич. Лабиринтная модель внесла в модель слепого поиска элемент структурности, однако при решении нек-рых задач, когда лабиринтная структура была фактически задана субъекту, лабиринтная модель оказалась несостоятельной. В этих случаях человек не производит в процессе решения задачи блуждания по лабиринту, определяемому структурой этой задачи, а реализует гораздо более эффективный процесс, позволяющий находить нужное решение значительно быстрее, чем при лабиринтном методе. [12]

Это определяет и ряд их свойств. Так, пенопласты менее теплопроводны, газонепроницаемы. Благодаря замкнутой пористой структуре они не впитывают влаги и отличаются очень малой плотностью. Поропласты несколько тяжелее пенопластов, но превосходят их по звукопоглощению вследствие лабиринтной структуры ми-кропор. [13]

Доменная структура в тонкой пластинке ортоферрита. [14]

На каплю действуют два рода сил: сила тяжести, под действием которой капля растекается по поверхности, и силы поверхностного натяжения, старающиеся придать капле форму сферы. На домен в отсутствие поля Явн действуют также два рода сил: силы магнитостатического происхождения, стремящиеся растянуть домен, и силы, связанные с наличием энергии доменной стенки, стремящиеся сжать домен. Количественно в отсутствие поля это приводит к растеканию домена по поверхности с образованием лабиринтной структуры. Если создать поле Яви, то возникает третья сила, связанная с взаимодействием домена с внешним полем. При достаточно большом значении напряженности поля Явн образуется ЦМД. [15]

Страницы: 1 2