Тонкая структура - линия - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Некоторые люди полагают, что они мыслят, в то время как они просто переупорядочивают свои предрассудки. (С. Джонсон). Законы Мерфи (еще...)

Тонкая структура - линия

Cтраница 1


Тонкая структура линий объясняется при учете теории относительности и собственного магнитного момента электрона.  [1]

Тонкая структура линии обусловлена взаимодействием между ядрами в молекуле ( спин - спиновое расщепление), что дает информацию о структуре молекул и твердых тел.  [2]

Тонкая структура линии рэлеевского рассеяния содержит дискретные линии, обусловленные рассеянием на тепловых волнах ( рассеяние Мандельштама-Бриллюэна), расположенные симметрично относительно несмещенной компоненты. Рассеяние с изменением частоты связано с тем, что диэлектрическая восприимчивость х ( а также диэлектрическая проницаемость е 1 х) изменяется во времени вследствие тепловых акустических волн в веществе, характерная частота этих изменений равна va - и / la, где и и а - скорость звука и постоянная решетки. Рассеяние с появлением спектральных компонент, смещенных по частоте относительно исходного излучения, является параметрическим процессом. Вероятность появления одного рассеянного фотона при облучении одной частицы ( молекулы или атома) пропорциональна плотности потока квантов в пучке падающего света, но коэффициент пропорциональности ( сечение рассеяния а ] составляет по порядку величины всего лишь 10 - 30 см2 / ср. Отсюда получаем, что отношение интенсивности рассеянного света / s к интенсивности падающего / о составляет Is / IQ - 4тгет / 1, где п - 1022 см-3 - концентрация атомов, h - толщина слоя. При прохождении светом расстояния 1 см в однородном прозрачном твердом теле рассеивается в полный телесный угол ( 4тг стерадиан) примерно IS / IQ - 10 - 7 падающей интенсивности.  [3]

Открытие тонкой структуры линии рассеяния, которое связано с именем Е. Ф. Гросса, показало, что в жидкостях необходимо различать два вида флуктуации плотности - при постоянном давлении и постоянной энтропии. Центральная линия обязана изобарическим флуктуациям, а боковые спутники адиабатическим флук-туациям.  [4]

В действительности тонкая структура линий водорода и сходных с ним ионов может быть объяснена лишь при одновременном учете поправок на принцип относительности и на магнитные ( спиновые) свойства электрона. Приведенная выше форма уравнения Шредингера не удовлетворяет требованиям принципа относительности.  [5]

Для объяснения тонкой структуры линий в спектральных сериях некоторых элементов, а также для объяснения аномального эффекта Зеемана, Уленбек и Гаудсмит ( 1925) ввели гипотезу, согласно которой электрон вращается вокруг собственной оси подобно волчку.  [6]

При учете тонкой структуры линий водорода необходимо принимать во внимание расщепление уровней, вызванное спин-орбитальными взаимодействиями.  [7]

Вопрос о тонкой структуре линии Релея в настоящей работе не затрагивается, так же как и об области спектра, непосредственно примыкающей к ней.  [8]

Внизу чертежа изображена тонкая структура линии На так, как она наблюдается в мощном спектрографе. В согласии со схемой уровней, она состоит из дублета I и II, оба компонента которого образованы 2 и 3 линиями тонкой структуры. Расстояние в дублете равно 0 318 см-1 в волновых числах ( вычисляется по Бору: 0 328 см-1) или 0 142 А в длинах волн ( самая.  [9]

При высоком разрешении наблюдается тонкая структура линий в спектре ЯМР. Она обусловлена спин-спиновым взаимодействием магнитных ядер. В первом приближении можно считать, что влияние магнитных моментов других ядер приводит к изменению локального магнитного поля интересующего нас ядра. Спектроскопически это проявляется как зависимость резонансного значения приложенного поля от ориентации спинов соседних ядер. Если спин-спиновое взаимодействие и химический сдвиг сравнимы по величине, спектр может принимать очень сложный вид, если же они заметно отличаются друг от друга, интерпретация спектра оказывается довольно простой ( рис. Я.  [10]

Однако на рис. 63 эта тонкая структура линий не видна вследствие малой разрешающей способности прибора. На рис. 84 приведено несколько фотографий серии К различных элементов. На рис. 85 в качестве примера приведена фотография серии L вольфрама. Видно, что эта серия имеет значительно более сложную струк-туру 7 нежели серия К, хотя все еще состоит из небольшого числа линий.  [11]

12 Экспериментальная установка. [12]

Нами предпринята попытка систематического исследования тонкой структуры линии рассеяния в растворах. Здесь С - дьюароподобный термостатирующий сосуд, в который вставлялась кювета.  [13]

Определение собственной ширины боковых компонентов спектра тонкой структуры линии рэлеев-ского рассеяния света в н-гексадекане / / Вестн.  [14]

Это дает возможность разрешать узкие линии и тонкую структуру линий поглощения при низких давлениях, что недоступно для средств классической спектрометрии. Благодаря указанному преимуществу существенно повышается избирательность газового анализа.  [15]



Страницы:      1    2    3    4