Тонкая структура - полоса - поглощение
Cтраница 1
 |
Основные и наиболее бедные энергией возбужденные состояния акролеина ( модель согласно методу МО. [1] |
Тонкая структура полос поглощения связана с наличием различных колебательных уровней в возбужденном состоянии. Не каждый переход электрона из основного в возбужденное состояние может быть разрешенным. В этом случае следует руководствоваться правилами отбора, вытекающими из квантовоме-ханического рассмотрения процессов поглощения. [2]
 |
УФ-спектры акролеина и 1-метилбутадиена - 1 3. [3] |
Тонкая структура полос поглощения связана с наличием различных колебательных уровней в возбужденном состоянии. [4]
Тонкая структура полосы поглощения значительно сглаживается при таком расположении замещающих групп, которое вызывает уменьшение симметрии молекулы. Наоборот, высоко симметричный кристаллический гомолог, 2 3 6 7-тетраметилнафталин, обладает отчетливо выраженной селективностью поглощения и положением полосы, значительно отличающимся от остальных. [5]
Тонкая структура полосы поглощения дает информацию о пространственном расположении и числе соседних ядер. [6]
Такая тонкая структура полос поглощения наблюдается только у небольших молекул, когда отдельные вращательные уровни энергии расположены достаточно далеко друг от друга, так что вся структура полосы поглощения может быть разрешена. У больших молекул отдельные вращательные уровни расположены слишком тесно, чтобы их можно было разрешить, и в поглощении наблюдается лишь кривая, являющаяся огибающей колебательно-вращательной полосы в целом. [7]
Исследуя тонкую структуру полос поглощения галоидных к-т, Аймз ( 1919 г.) обнаружил, что нек-рые максимумы поглощения разлагаются в двойники. Лумис ( 1920 г.) показал, что наличие таких двойников объясняется существованием И. [8]
Взаимодействие вращательного и колебательного движений молекул газа приводит к появлению тонкой структуры полос поглощения. Наличие тонкой структуры часто усложняет спектры, но помогает в расшифровке характеристических частот и, следовательно, в идентификации молекул. [9]
Влияние образования Н - связи на спектры поглощения можно проследить при изучении изменения положения, интенсивности и тонкой структуры полос поглощения при переходе от неполярных растворителей ( например. При образовании Н - связей тонкая структура спектров обычно размывается. Полосы - я - переходов претерпевают гипсохромное ( синее) смещение. Это свидетельствует об ослаблении Н - связи в возбужденном состоянии ( АЯ1 ДЯ2), что может быть связано с переходом одного из электронов неподеленной пары ( участвующей в образовании Н - связи) на разрыхляющую я - МО. [10]
В инфракрасном спектре карбонатов, кристаллизующихся с образованием решетки типа решетки арагонита, при изменении содержания углерода в области 880 - 800 слг1 появляется тонкая структура полос поглощения. В решетке типа решетки арагонита ближайшие соседние ионы карбоната располагаются вертикально один над другим, причем плоскость иона принимается горизонтальной. Расстояние между ближайшими соседями в такой решетке явно меньше, чем в решетке, подобной решетке кальцита, где ближайшие соседи расположены в одной плоскости. Оба исследуемых вещества кристаллизуются в решетку, сходную с решеткой арагонита. Тонкая структура наблюдается в том случае, когда содержание N15 и С13 увеличивается примерно до 50 %, и не наблюдается в спектре нитрата натрия, который имеет структуру, подобную структуре кальцита. [11]
Это позволяет разрешать узкие линии и тонкую структуру полос поглощения при низких давлениях, что недоступно средствам классической спектрометрии. [12]
В последнее время метан неоднократно привлекал внимание исследователей как объект для изучения молекулярной динамики конденсированной фазы при низких температурах. Кабана, Савицкий и Хорниг [8] приписали тонкую структуру полос поглощения вращению молекул СН4 и CD4 в матрицах из аргона, криптона и ксенона при температурах 5 - 40 К. [13]
Характеристическое влияние метильных групп проявляется в изменении остроты и тонкой структуры полос поглощения. [14]
Основные колебания, рассматриваемые в первом приближении как колебания простых гармонических осцилляторов, дают в этой области спектра характерные полосы поглощения, и тонкая структура этих полос, обусловленная положением вращательных состояний, обычно может быть разрешена. Тонкая структура полос чувствительна к типу группы, в которой находятся атомы, участвующие в колебании; например, тонкая структура полос поглощения, обусловленных колебанием углерод-водородной связи, обнаруживает отчетливое различие между метильной и метиленовой группами. Интерпретация природы этих полос в случае адсорбированных молекул основана на сравнении частот и относительных интен-сивностей максимумов поглощения полос тонкой структуры со спектром чистых соединений, в которых отнесение частот уже проведено. Сдвиги частоты поддающейся идентификации группы указывают на изменение в ее электронном окружении. В близкой инфракрасной области ( 0 8 - 2 0 мк) располагаются обертоны основных колебаний. Слабые взаимодействия группы с ее окружением могут оказывать сильное влияние на ангармоничность колебаний группы. Поскольку относительные эффекты сильнее проявляются для обертонов, чем для основных частот, эти полосы обычно весьма чувствительны к факторам, связанным с окружением группы. Кроме того, в тех случаях, когда на основные частоты могут накладываться другие сильные полосы поглощения, у обертонов такое наложение может отсутствовать. [15]
Страницы: 1 2